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一 面向MOSFET开关器件的低温性能测试平台 1) 研究目标 本项目旨在开发一套面向MOSFET开关器件的低温性能测试平台，并依此设计基于低温电力电子技术的低温直流斩波器实用电路方案，为具有高效、节能的电力电子技术奠定一定的实验基础和技术参考。2) 研究内容 a) 以英飞凌公司生产的最新MOSFET产品为研究对象，开发一套低温性能测试平台，对低温电力电子技术进行相关实验验证。 b) 根据实验测试获得的低温性能规律，设计基于低温电力电子的低温直流斩波器实用电路方案。3) 研究方案 a) 如图1所示，低温性能测试平台核心部件包括：MOSFET测试架，MOSFET开关驱动电路，测试电源，温度测量仪，数字万用表，LabVIEW测量和控制软件，等。其中，MOSFET测试架将实现连续调节MOSFET表面的环境温度的目的，从而实现测试在不同的环境温度下的MOSFET开关性能。 b) 低温直流斩波器实用电路方案包括：升压电路，降压电路，升降压电路 (极性反转)，升降压电路 (极性不变)。以上四种电路方案的本质为引入低温MOSFET来代替常规直流斩波器的二极管，并利用数字化控制方案，以实现更高的运行效率。 图1 MOSFET低温性能测试平台的原理框图4) 拟解决的关键问题 解决在连续调节MOSFET环境温度的同时，实时监测MOSFET导通电阻的精确测量问题。 1 传统升降压型直流斩波器的缺陷分析 功率二极管功率二极管功率二极管由于功率二极管通常工作于大电流状态，在电流值达到额定电流时，其工作压降一般在1.02.0V之间。功率二极管U= Ud + I × Rd，其中，Rd为功率二极管功率二极管Rm，其工作电流和工作电压的相互关系如下：U= I × Rm。这样，如果MOSFET的实际导通电阻足够小，其导通损耗功率将会远远小于功率二极管 图MOSFET及二极管曲线如图所示，以英飞凌公司的N沟道MOSFET管IPB009N03L工作电流100A为例，其功率损耗为200 W，而可控功率开关管MOSFET的等效通态电阻已达到1 mΩ级别，其通态功率损耗约为10 W。因此，在低压大电流工作场合的前提下，采用MOSFET代替功率二极管可以在很大程度上减小的功率损耗，提高系统的效率。 图MOSFET及其反向续流二极管的运行损耗功率曲线 新型升降压型直流斩波器的改进 如图所示，新型升降压型斩波器主要包括2只MOSFET S1、S2，1只二极管D2，能量缓冲电感器L，能量缓冲电容C，负载电阻R。与传统斩波器不同的是，其在二极管D2的两端，新增了一个并联的MOSFET。利用MOSFET的低导通损耗特性，可以降低整个电路的运行损耗。MOSFET具有双向电流流通特性，可以通过正向或反向工作电流。 其基本电路运行原理如下： 1) 当S1闭合时，电源U通过S1，与能量缓冲电感器L形成闭合充电回路，电感电流I(t)上升； 2) 当S1断开时，能量缓冲电感器L通过D2，与能量缓冲电容C及负载电阻R形成闭合放电回路，电感电流下降，负载电压上升；S2，能量缓冲电感器L通过2，与能量缓冲电容C及负载电阻R形成闭合放电回路，电感电流下降，负载电压上升；) 当负载电压U(t)上升至设定的参考值Uref时，S，能量缓冲电感器L通过D2，与能量缓冲电容C及负载电阻R形成闭合放电回路，电感电流下降，负载电压上升；) 经过一个短暂的时间延迟后，S1重新闭合，电源U通过S1，与能量缓冲电感器L形成闭合充电回路，电感电流I(t)上升 图 改进后的升降压型直流斩波器 图能量缓冲电感器 图能量缓冲电感器 图能量缓冲电感器 图7和图8分别给出了整个运行过程中的负载电压波形图如此反复，则可以将负载电压U(t)维持在设定的电压范围Ud-Up内，实现从固定电压的电源至负载电阻的升降压直流电能变换。需要指出的是：在t2时刻至t22时刻之间的时间区域，即是电感器L通过二极管D2与缓冲电容C、负载电阻R形成放电回路的暂时运行状态。 图 负载电压波形图 图 电感电流波形图为实现对上述MOSFET进行控制，实现电感能量存储与释放，采用数字化方案定义不同系统工作状态。引入一种把升降压型直流斩波电路“数字化”的概念，用以简化分析电路工作流程，可为高效、高稳定性的控制奠定了一定基础。以“0”和“1”表示2个功率开关的逻辑状态，“00 - 11”为S1-S2的逻辑状态组合。表1数字化控制状态具体流程如下： (1) 从复位状态（00）到充电状态（10）：“00→10”，闭合S1，电源U、S1和L形成充电回路； (2) 从充电状态（10）到放电状态暂态（00）：“10→00”，断开S1，负载R、D2和L形成放电回路； (3) 从放电状态暂态（00）到放电状态稳态（01）：“00→01”，闭合S2，负载R、S