半导体激光器国标准(二).docVIP

半导体激光器国家标准（二） 3.1.32 远场光强分布 Far field intensity distribution 　　在距离远远大于激光光源瑞利长度的接收面上得到的光强分布。 　　3.1.33 近场光强分布 Near field intensity distribution 　　激光器在输出腔面（AR面）上的光强分布。 　　3.1.34 近场非线性 Near field non-linearity 　　热应力引起半导体激光器阵列或巴条中各个发光单元在垂直p-n结的方向上发生的位移，导致激光器阵列或巴条近场各个发光单元不在一条直线上，又称为smile效应。 3.1.35 偏振 Polarization 　　半导体激光器是利用光波导效应将光场限制在有源区内，使光波沿着有源区层传播，并通过腔面输出，半导体激光器的偏振特性与电场和磁场两个空间变量有关，对于横向电场（TE）偏振光，只存在（Ey，Hx，Hz）三个分量，对于横向磁场（TM）偏振光，只存在（Ex，Ez，Hy）三个分量。半导体激光器偏振特性优劣通常用偏振度来表征，偏振度为两种偏振态的光功率差与光功率和的比值，通常以百分比表示。 　　3.1.36 热阻 Thermal resistance 　　热量在热流路径上遇到的阻力，反映介质或介质间的传热能力的大小，激光器产生1W热量所引起的温升大小，单位为℃/W或K/W。 　　3.