微机原理与汇编语言 第6章 半导体存储器.ppt

表6.2 常用的E2PROM芯片 型号 参数 2816 2816A 2817 2817A 2864A 取数时间/ns 250 200?250 250 200?250 250 读电压VPP/V 5 5 5 5 5 写/擦电压VPP/V 21 5 21 5 5 字节擦写时间/ms 10 9~15 10 10 10 写入时间/ms 10 9~15 10 10 10 封装 DIP24 DIP24 DIP28 DIP28 DIP28 6.4 存储器的扩展 6.4.1 存储芯片的扩展 存储器的扩展主要解决两个问题：一个是如何用容量较小、字长较短的芯片，组成微机系统所需的存储器；另一个是存储器如何与CPU的连接。 1. 存储芯片的扩展 存储芯片的扩展包括位扩展、字扩展和字位同时扩展等三种情况。 (1) 位扩展 位扩展是指存储芯片的字(单元)数满足要求而位数不够，需要对每个存储单元的位数进行扩展。扩展的方法是将每片的地址线、控制线并联，数据线分别引出。其位扩展特点是存储器的单元数不变，位数增加。 下图6.14给出了使用8片8K?1位的RAM芯片通过位扩展构成8K?8位的存储器系统的连线图。 图6.14 用8K?1位芯片组成8K?8位的存储器 (2) 字扩展 字扩展是指存储芯片的位数满足要求而字(单元)数不够，需要对存