201204实验六MOSFET直交流特性参数测试及SPICE参数提取实验指导2.docxVIP

实验六MOSFET直、交流特性参数测试及SPICE参数提取引言MOSFET 的直流输入特性，直流输出特性，开启电压，直流导通电阻，漏源击穿电压，跨导和动态电阻是通常测试的主要电参数。本实验介绍了三种测试方法，即用BJ-4815图示仪、万用表和PC 机分别进行测试。其中图示仪测量的特点是操作简便，迅速，结果直观，但测试精度不高。用万用表测试，其特点是测试原理直观，精度较高，但人工采集数据量太大，结果不直观；而用PC 机进行测试，其特点是测试速度极快，自动化程度高，结果直观，测试精度极高，其测试结果可打印输出，也可存盘保留，非常方便。一、实验目的1．通过实验加深理解MOSFET 器件交、直流参数的物理意义。2．了解MOSFET 器件与双极晶体管工作原理的区别。3．熟悉SPICE 程序中MOS 模型及其模型参数，学会提取MOS 模型参数的方法。二、实验原理1．测试样品介绍：本实验的测试样品是集成电路TC4069，是不带驱动器的CMOS 反相器，是G、D、S、B 端互相独立，并能引击的MOSFET (图1)，其管脚排列图如图2 所示。它提供了G、D、S 端互相独立且可从管脚引出的N 沟和P 沟的MOSFET 。由于CMOSIC 中所有N 管的S 端，B 端短接，所有P 管的S 、B 端短接，因此，N 管和P 管均为，用TC4069 样品不能测试衬底调制效应。图1图2 2．MOSFET 的直流输人特性MOSFET 是用栅电压控制漏源电流的器件。固定一个漏源电压 ，可测得一条关系曲线，对应一组阶梯漏源电压测得一组直流输入特性曲线如图3 所示。每条线均有三个区域，即截止区饱和区，非饱和区，曲线与轴交点处，曲线中各点切线的斜率即为所对应的和的跨导。切线斜率越大，跨导越大，MOSFET 的栅控能力越强。从理论上讲在三个区域中应是：（以N 沟增强管为例），截止区：，曲线与轴重合，跨导；，饱和区，为二次曲线，跨导；，非饱和区，为一次曲线，跨导，用直流输入特性曲线可测得MOSFET 在各工作点的跨导。1. 2. 3. 图 33．MOSFET 直流输出特性MOSFET 直接输出特性是在某一固定的栅源电压下所得到关系曲线，相对一组阶梯栅源电压可测得一组输出特性曲线如图4 所示。每条曲线分三个区域。非饱和区，曲线斜率逐渐变小；饱和区，斜率很小的直线；击穿区，陡直上升的曲线。从这组曲线中可测得MOSFET 的直流导通电阻，动态电阻，平均跨导及漏源击穿电压。图4 MOSFET的直流导通电阻，曲线中每点（即每个工作点）的导通电阻为这点所对应的 和 的比值，理论上讲，在很小时特性曲线呈线性，即为直线斜率的倒数：在临界饱和点：MOSFET 的导通电阻是随和变化的可变电阻。MOSFET 的动态电阻，曲线中各状态的动态电阻即为各点切线斜率的倒数。在非饱和区很小时，在饱和区是一个阻值很大的常数。MOSFET 的漏源击穿电压可从特性曲线中直接测取。MOSFET 在某一范围内的跨导的平均值可在特性曲线中直接测出。从曲线中可以看出，相同时，饱和区的跨导（或平均跨导）大于非饱和区的跨导，因此放大器的工作点一般均在饱和区。4．MOSFET 的开启电压使MOSFET开始强反型导通时所加的栅源电压叫开启电压，它是受衬底电压调制的，当时，开启电压为。开启电压测量方法很多，本实验中用了以下几种：最简单的办法是测量关系曲线，曲线明显拐弯处即为。由于开启和漏电流问题，这种方式测量开启电压不够准确。拟合直线法可以测得较准确的开启电压。由萨方程可知，在非饱和区在很小时测关系数据，做关系的直线，直线在轴的截距即为开启电压。饱和法测量开启电压是一种很简单的办法。使MOSFET漏栅短接，即工作在饱和区。将的值定为MOSFET 的开启电压。这种方法所测值比实际的开启电压略大。三、实验内容1．使用BJ-4815图示仪测量开启电压和输出特性。2．使用万用表方法测直流输入特性，直流输出特性及饱和开启电压。3． 使用PC 机测试系统测直流输入，直流输出特性曲线及非饱和区拟合直线法，饱和法等的开启电压。4．在BJ-4815图示仪所显示的输出特性曲线上测定MOSFET 的直流导通电阻，动态电阻，跨导和漏源击穿电压。5 ．在PC 机测试系统的输入和输出特性曲线上测定直流导通电阻，动态电阻和跨导。四、实验步骤和方法使用BJ-4815图示仪进行测量： (1) 使用BJ-4815图示仪测量MOSFET 开启电压。 在实验样品为CD4069，以N 沟增强型为例。将MOSFET 的G 、D 、S 引出端分别与图示仪，B 、C 、E 端相接，E 端接图示仪的地，将B 、C 短路。图示仪上极性选NPN ，选择发射板接地，阶梯作用置单组，阶梯电流调至最小（否则D 、S 间有明显的电流注人，使测量不准）。置衬底偏置电位，增大图示仪