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电路设计报告 产品型号： CS4268B 产品名称： MOS驱动（CS4268B） 拟 制： 简元凯 审 核： 周湘鲁 批 准： 无锡华润矽科微电子有限公司 2012 年 12 月 27 日  1 电路综述 3 1.1 概述: 3 1.2 主要用途； 3 1.3 主要功能； 3 1.4 主要特征、特性； 3 1.5 电路集成度：P: ；N: ；RAM: ；ROM: ；特殊器件：R: ；C: ；NPN： ；PNP： ； 4 1.6 电路设计的HSF特性要求；（明确本产品的HSF特性要求，说明本产品设计是否符合公司HSF的要求） 4 2 线路设计 5 2.1 管脚功能描述 5 2.2 电性能参数 8 2.2.1 极限参数（√） 8 2.2.2 直流参数 8 2.3 功能框图； 11 2.4 总体功能描述（含信息流描述）； 12 2.5 各主要模块的工作原理（包括IO部分输入/输出具体线路的工作原理）； 13 2.5.1 BG电路 13 2.6 电路设计的基本思想方法： 63 2.6.1 仿真用SPICE MODEL号； 63 2.6.2 逻辑设计； 63 2.6.3 电路设计； 63 2.6.4 时序问题的考虑； 63 2.6.5 设计结论； 63 2.6.6 仿真覆盖率评估； 63 3 工艺设计 64 3.1 有否采用特殊线路结构、工艺结构、特殊性能要求的器件结构； 64 3.2 元器件类型清单； 64 3.3 典型器件参数测试情况； 64 3.4 典型纵向参数； 64 3.5 非标准工艺须提供工艺流程； 64 3.6 首次投片对工艺的要求； 64 3.7 对验收PCM数据有无特殊要求； 64 3.8 明确是否选择的是技质部认可的符合公司HSF要求的合格工艺平台； 64 4 版图设计 65 4.1 电路采用工艺（具体到工艺代号、设计规则版本号） 65 4.2 各I/O口：画出I/O口线路图含ESD保护线路、标明上下拉电阻尺寸大小或管子宽长比； 65 4.3 电源地线的考虑； 67 4.4 芯片布局考虑； 68 4.5 典型元器件清单包括器件类型、器件数目、器件具体参数； 70 4.6 可靠性设计(Latch-Up设计考虑、ESD设计考虑)、提供整个电路； 70 4.7 PAD的结构； 70 4.8 制版层次； 71 4.9 DRC、ERC、LVS验证覆盖率评估； 72 5 附件内容 73 5.1 应用图；（需要时附图纸中元器件、方案选择的HSF要求） 73 5.2 设计验证报告表； 73 5.3 DRC验证结果（给定工作站路径） 75 5.4 LVS验证结果（带ERC部分、带宽长比验证）； 75 5.5 全芯片的主要逻辑线路图（给定工作站路径）； 75 电路综述 概述: CS4268B是一款双输入、四输出的驱动芯片，具有传输延时短，驱动电流大，功耗低等特点，同时具有欠压锁定功能及使能功能。 主要用途； ● 功率管驱动 主要功能； ● 驱动MOS负载； ●将0-3.3v的输入方波信号，转换为同频率的0-vdd的同相或反相信号； 主要特征、特性； ● 宽电源电压输入范围：4.5V-12V ； ● 双输入通道：A和B，4个输出通道：、 、； ● 两个输入端均有各自的使能控制端； ● 输出、均有下拉电阻，、均有上拉电阻； ● 欠压锁定输出功能：当电源电压小于3.9V时，输出同相端被锁定为低电平，反相端被锁定为高电平，当电源电压大于3.9V时电路开始工作； ● 外接1nF负载时，延迟时间小于40ns； ● 输出无负载电容时，同一通道同相端与反相端的典型匹配时间为2ns； ● 工作温度范围：-25°C－120°C； ● 封装形式:； 电路集成度：P: ；N: ；RAM: ；ROM: ；特殊器件：R: ；C: ；NPN： ；PNP： ； 表 1 源器件清单阅览表 名称 模型 描述 数目 　 数 据 单位 参数 极小值 典型值 极大值 MOS mn25v 高压非对称NMOS 46　 　 Vth 1.7 2 2.3 V Bvd 40 44 　 V mn25vbn 高压非对称隔离NMOS 49　 　 Vth 1.7 2 2.3 V Bvd 40 44 　 V mp25v 高压非对称PMOS 96　 　 Vth -1.63 -1.43 -1.23 V Bvd 　 -37 -30 V mn 低压5Vnmos 21　 　 Vth 0.6 0.75 0.9 V Bvd 8 11 　 V mp 低压5Vnmos 2 　 Vth -1.05 -0.9 -0.75 V