全组分可调III族氮化物半导体光电功能材料及其器件应用.docVIP

项目名称： 全组分可调III族氮化物半导体光电功能材料及其器件应用 起止年限： 2012.1-2016.8 依托部门： 教育部 中国科学院  关键科学问题根据本项目涉及的高Al组分AlGaN高In组分InGaN及GaNAlN同质外延衬底材料III族氮化物半导体材料及其低维量子结构的共性特点，拟解决的关键科学问题凝练、归纳为： 1、非平衡条件下全组分可调氮化物半导体的外延生长动力学与缺陷控制 由于InN、GaN、AlN晶格常数的较大差异，三者化学性质的明显差异导致高Al组分AlGaN、高In组分InGaN材料的制备均为非平衡条件下的外延生长，生长窗口狭小，难以生长出大面积、高质量的外延薄膜。而迄今制备GaN和AlN自支撑厚膜衬底材料的主流方法--HVPE法是典型的非平衡态生长。非平衡条件下全组分可调III族氮化物半导体及其低维量子结构的外延生长存在一系列尚未认知的新颖和复杂特性，其缺陷控制规律也有待深入研究和掌握。 2、全组分可调氮化物半导体中的应力控制和极化调控 AlGaN基、InGaN基半导体低维结构材料均为大失配应变体系，同时亦为具有很大自发极化和压电极化系数的强极化体系，其制备过程中应力的控制不仅决定外延材料的质量和缺陷密度，而且直接调控材料中的极化感应电场和能带弯曲，从而影响材料和器件的宏观光电性能。另一方面，极化行为不仅可以调控AlGaN基、InGaN基低维结构材料的光学、电学性质，而且极化方向及其强弱亦会对材料的外延生长，特别是生长过程中的原子迁移和键合产生重要影响。而在GaN和AlN自支撑厚膜衬底的生长过程中，应力、包括热应力的控制和释放规律是其最核心的问题，是决定材料生长成败和材料质量的最主要因素。 3、高Al、高In组分氮化物半导体中的杂质行为调控和p型掺杂 半导体材料的p型掺杂是实现其器件功能的基本环节。在AlGaN外延材料中，由于p型掺杂原子离化能随Al组分不断提高，导致高Al组分AlGaN材料p型杂质的困难。而在高In组分InGaN和InN外延材料中，存在高达1018 cm-3以上的背景电子浓度，在其近表面区域还始终存在高电子浓度的表面电荷层，从而严重影响其p型掺杂和检测。另外，AlGaN和InGaN材料中的p型杂质还与其他杂质原子和缺陷存在复杂的相互作用，极化电场也对p型掺杂存在明显的作用。因此，研究降低背景杂质的补偿行为和实际离化能、探索新的可控p型掺杂方法，是实现AlGaN基和InGaN基材料器件应用的关键问题。 4、高导带阶跃、强极化半导体量子结构中电子、光子的运动规律和性能调控 作为典型的高导带阶跃、强极化半导体量子结构体系，AlGaN基和InGaN基低维结构中电子、光子的运动及其调控有其特殊的规律，如高Al组分AlGaN存在价带分裂的反转，对光子沿材料c轴方向的出光产生致命的影响。强极化电场对电子的复合、输运、自旋等性质有重要影响。对AlGaN基和InGaN基低维量子结构材料中电子、光子运动规律的认识和有效调控，特别是对电子、光子运动规律与特定材料结构内在关联的认识，不仅对丰富和发展宽禁带半导体物理学具有重要意义，而且是实现其器件应用的科学基础。 主要研究内容： 依据有限目标，突出重点的原则，本项目围绕上述关键科学问题，选择下列4个方面作为主要研究内容：AlGaN基紫外(UV)发光、探测材料及其器件应用 研究非平衡条件下AlGaN基薄膜及其低维量子结构的外延生长动力学，探索MOCVD外延生长过程中增强III族原子表面迁移的生长模式和控制规律；采用Mg和Si杂质构造不同内建电场的掺杂量子阱结构，运用极化效应调制AlGaN基超晶格结构中的p型掺杂；设计和制备具有极化和能带调控功能的新型AlGaN基量子结构，调整光学各向异性；实现具有一定实用性能的AlGaN基UV发光器件和超高速、高灵敏的AlGaN基日盲雪崩UV探测器件；设计和制备基于ISBT原理的AlGaN基多量子阱结构，探索AlGaN基紫外、红外双色探测单片集成实现途径。 2、全组分可调InGaN基全光谱光伏材料及其器件应用 研究高In组分InGaN大失配异质外延的生长动力学规律，探索抑制其相分离的有效途径；利用InN超薄层调控技术，探索基于InN/GaN短周期超晶格结构的InGaN数字合金(digital alloys)的外延生长规律；研究载流子与杂质缺陷的相互作用及其调控，寻找降低InGaN和InN外延薄膜中背景电子浓度的有效方法，实现其p型掺杂；研究光生载流子复合和输运机制，探寻InGaN单层和叠层结构光电转换过程中的能量损失机理与改善途径，获得提升InGaN基光伏电池的光电转换效率的有效途径。 3、GaN和AlN厚膜生长中的应力控制及其自支撑衬底材料的制备 研究GaN和AlN厚膜的HVPE生长