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CIGS靶材在烧结制备过程中的研究 材料科学与工程B 摘要：铜铟镓硒靶材是以Cu2Se，In2Se3和Ga2Se3为原料，按照CuIn0.72Ga0.28Se2（铜铟镓硒）的化学计量混合原料粉末，通过常压烧结的方式来制备CIGS靶材。结果发现，在烧结的靶材中只有CuIn0.7Ga0.3Se2相存在。较细粉末和较高冷压力的条件下，烧结的样品孔隙更小，并且孔隙分布的更均匀。靶材密度的下降是由两个原因引起的，一是在烧结过程中Ga的挥发，二是因为在烧结过程中靶材体积的膨胀。较粗粉末和较高冷压力的条件下，抗-致密化的倾向更强。对烧结过程和抗-致密化的原因进行了讨论。最后，采用热压工艺进行处理，这对增加CIGS密度是相当有效。可以采用磁控溅射沉积的方法制备CIGS靶材。 简介 CuInSe2（CIS）薄膜太阳能电池被认为是很有前途的光伏发电技术。实验室规模CIGS电池的光电转换效率已达到19.9％[1]，超过大面积模块CIGS电池的13％ [2]。 时下最流行的CIGS吸收体的沉积制备方法是共蒸发法和硒处理前躯体金属层法。小面积高效率CIGS电池的元素来源于共蒸发。这种方法需要精确控制每个元素的蒸发速率和沉积量。与共蒸发法相比，硒处理前躯体金属层法比较容易实现成分的均匀，尤其是对大面积的电池材料，这有利于商业生产和产量的提高[3]。硒处理前躯体金属层法通常被描述为两个步骤，第一步是CuInG