霍尔传感器自主学习绪论.docVIP

2014-2015学年第一学期《传感器技术》自主学习报告 霍尔传感器 团队成员 执 笔 ****** 院 系 工学院机电系 专 业 机械电子工程121 完成日期 2014/11/30 目录 1、霍尔传感器的工作原理 1 2、霍尔元件的结构 1 3、霍尔传感器的优缺点 2 4、霍尔元件主要技术指标 2 5、霍尔传感器的测量电路 3 6、霍尔元件的误差及其补偿【3】 4 6.1不等位电势及其补偿 4 6.2温度误差及其补偿 5 7、霍尔传感器的应用 6 7.1位移传感器【3】 6 7.2力（压力）测量【4】 7 7.3霍尔式汽车点火器【3】 7 7.4转速计 8 7.5霍尔加速度传感器【4】 9 8、学习心得 10 参考文献： 10 1、霍尔传感器的工作原理 霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器。霍尔发现，半导体薄片置于磁场（B≠0）中，当它的电流方向与磁场方向不一致时，半导体薄片上平行于电流和磁场方向的两个面之间会产生电动势，这种现象称为霍尔效应，该电动势称霍尔电势，半导体薄片称霍尔元件。图1为霍尔效应原理图。 图1：霍尔效应原理图【1】 霍尔电势可用下式表示： =IB 其中，是霍尔元件的灵敏度，它表示霍尔元件在单位磁感应强度和单位激励电流作用下霍尔电势的大小。 = 式中，n，d，e分别表示电子浓度，薄片厚度，电子的电荷量。 2、霍尔元件的结构 霍尔元件由霍尔片、四根引线和壳体组成。霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片（一般为4mm×2mm×0.1mm），在它的长度方向焊有a、b两根引线，称为控制电流端引线，通常用红色导线。其焊接处称为控制电流极（或激励电流），要求焊接处接触电阻很小，并呈纯电阻，即欧姆接触（无PN结特性）。在薄片另两侧端面的中间以点形式对称地焊有c、d两根霍尔输出引线，通常用绿色导线。其焊接处称为霍尔电极，要求欧姆接触，且电极宽度与基片长度之比小于0.1，否则影响输出。霍尔元件的壳体上用非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装【2】。图2所示依次为霍尔元件外形、结构示意图和符号。 A B C 图2：霍尔元件 霍尔元件可用多种制作，如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多层半导体异质结构量子阱材料等等?输出电压变化大和使用寿命长等优点，因此，在测量、自动化、计算机和信息技术等领域得到广泛的应用；但它转化率较低、温度影响大、要求转换精度高时必须进行温度补偿。 4、霍尔元件主要技术指标 （1）额定激励电流 使霍尔元件温升10℃所施加的控制电流值称为额定激励电流（又称额定控制电流）。通常用表示。由于霍尔电势随激励电流增大而增大，故在应用中总希望选用较大的激励电流。但激励电流增大，霍尔元件的功耗增大，元件的温度升高，从而引起霍尔电势的温漂增大，因此每种型号的元件均规定了相应的最大激励电流，它的数值从几毫安至十几毫安。一般锗元件的允许温升为△80°C，硅元件△175°C。当霍尔元件的温升到达△时，就是最大的激励电流。 （2）输入电阻和输出电阻 输入电阻是指控制电流极间的电阻值。它规定要在室温(20±5℃)的环境温度中测取，输出电阻是指霍尔电极间的电阻值。规定中要求在(20±5℃)的条件下测取。一般、为几欧姆到几百欧姆，通常，但二者相差不大，使用时不能搞错。 （3）不等位电势和不等位电阻 当霍尔元件通以控制电流而不加外磁场时，它的霍尔输出端之间仍有空载电势存在，称为不等位电势。不等式电势与额定激励电流之比为不等位电阻。即： = （4）寄生直流电势 当不加外磁场，控制电流改用额定交流电流时，霍尔电极间的空载电势为直流与交流电势之和。其中的交流霍尔电势与前述零位电势相对应，而直流霍尔电势是个寄生量，称为寄生直流电势。 （5）热阻 它表示在霍尔电极开路情况下，在霍尔元件上输入lmW的电功率时产生的温升，单位为℃/mW，之所以称它为热阻是因为这个温升的大小在一定条件下与电阻有关。 （6）乘积灵敏度 霍尔元件的乘积灵敏度定义为单位控制电流和单位磁感应强度下，霍尔电势输出端开路时的电势值，其单位为V/AT，它反映了霍尔元件本身所具有的磁电转化能力，一般希望他越大越好。公式为： = 除外，霍尔元件还有磁灵敏度、电路灵敏度和电势灵敏度等技术指标。 5、霍尔传感器的测量电路 霍耳元件基本测量电路如图3所示，图中激励电流 由电源供给，可以是