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模拟电子技术第一章-chen li 本文由lydy1234贡献 ppt文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 第一章 常用半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 晶体三极管 1.4 场效应管 1.1 半导体基础知识 1.1.1 本征半导体 一、半导体 1. 导体： 导体： 自然界中很容易导电的物质称为导体 金属一般都是导体。 导体， 自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 2. 绝缘体： 绝缘体： 有的物质几乎不导电，称为绝缘体 如惰性气体、橡胶、 绝缘体， 有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如惰性气体、橡胶、 陶瓷、塑料和石英。 陶瓷、塑料和石英。 3.半导体： 半导体： 半导体 另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导 另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导 如锗、 砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。常用的半 导体材料是硅 导体材料是硅（Si）和锗（Ge）。 ）和锗（ ） 半导体具有下列的重要特性： 半导体具有下列的重要特性： (1) 热敏性 一些半导体对温度反应很灵敏 其电阻率随温度升 热敏性: 一些半导体对温度反应很灵敏, 高而明显下降, 利用该特性可制成各种热敏元件, 如热敏电阻、 高而明显下降 利用该特性可制成各种热敏元件 如热敏电阻、 温度传感器等。 温度传感器等。 (2) 光敏性 有些半导体的电阻率随光照增强而明显下降 利用 光敏性: 有些半导体的电阻率随光照增强而明显下降, 这种特性可做成各种光敏元件, 如光敏电阻和光电管等。 这种特性可做成各种光敏元件 如光敏电阻和光电管等。 (3) 掺杂性: 在纯净的半导体中掺入其它微量元素（如磷和硼） 掺杂性 在纯净的半导体中掺入其它微量元素（如磷和硼） 会使其电阻率下降，利用该性质可制成各种晶体管器件。 会使其电阻率下降，利用该性质可制成各种晶体管器件。 二、本征半导体 纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体 纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体 本征半导体的共价键结构 共价键共 用电子对 在绝对温度T=0K，且无外界 在绝对温度 ， 激发时，价电子完全被共价键 激发时， 紧紧束缚，即没有可以自由移 紧紧束缚， 动的带电粒子（载流子）。因 动的带电粒子（载流子）。因 ）。 此本征半导体导电能力很弱。 此本征半导体导电能力很弱。 +4 +4 +4 当温度升高或受到光照射， 当温度升高或受到光照射 ， 一 价电子获得足够能量， 些 价电子获得足够能量 ， 挣脱 共价键束缚，成为自由电子 自由电子。 共价键束缚，成为自由电子。 这一现象称为本征激发。 这一现象称为本征激发。 自由电子产生同时， 自由电子产生同时，在其原共 价键中留下一个空位，称为空 价键中留下一个空位，称为空 穴。原子因失掉一个价电子而 带正电，或者说空穴带正电。 带正电，或者说空穴带正电。 +4 空穴 +4 +4 自由电子 +4 +4 +4 本征半导体中自由电子和空穴是成对出现的， 本征半导体中自由电子和空穴是成对出现的，即自由电子和 空穴数目相等。 空穴数目相等。 在外电场作用下，一方面，自由电子做定向运动形成电子电流； 在外电场作用下，一方面，自由电子做定向运动形成电子电流； 另一方面，价电子按一定方向填补空穴，即空穴也产生定向移动， 另一方面，价电子按一定方向填补空穴，即空穴也产生定向移动， 形成空穴电流。 形成空穴电流。 本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电。 本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电。 三、本征载流子浓度 与本征激发相反现象——复合（自由电子在运动中与空穴结合） 与本征激发相反现象——复合（自由电子在运动中与空穴结合） ——复合 在一定温度下，本征激发和复合同时进行，达到动态平衡。 。在一定温度下，本征激发和复合同时进行，达到动态平衡。电 子空穴对的浓度一定。 子空穴对的浓度一定。 外加能量越高（温度越高），产生的电子空穴对越多。 外加能量越高（温度越高），产生的电子空穴对越多。载流子 ），产生的电子空穴对越多 浓度升高，导电能力增强。 浓度升高，导电能力增强。 本征载流子浓度： 本征载流子浓度： ni = pi = K1T 3 / 2 EGO /( 2 kT ) e 1.1.2杂质半导体 1.1.2杂质半导体 为改善半导体导电性能，在本