嵌入式系統应用中NVSRAM存储器的应用.docVIP

传统方案中常常采用EPROM、EEPROM和Flash存储程序， NV SRAM具有高速存取时间和与SRAM相同的接口，因而可用于存储程序。本文介绍NV SRAM如何与基于程序和数据存储的微处理器进行接口，并说明选用NV SRAM与现有的其它非易失存储器相比具有哪些优势。 尽管EPROM、EEPROM、Flash和NV SRAM在某种程度上提供了相同特性的非易失存储方案，而在一些特殊应用中，不适当的存储器方案将会导致设计缺陷。微处理器系统选择存储器时主要面临下列问题： 1. 对特定的应用，存储容量不足； 2. 程序存储器需要较快的存取时间； 3. 保证非易失存储的写周期次数不够大，产品工作在有效寿命的后期时存在可靠性问题； 4. 扇区写入不可避免，特别是存储器的扇区大于微处理器的缓冲区时。 5. 采用UV擦除方式不便于开发，一般无法满足在线编程的要求，需要特殊的附加设备，而不适当的操作会导致数据在光照下被擦除。表1列出了四种存储器的不同特点，显然，NV SRAM的综合指标最高。 EPROM的缺陷在于需要UV擦除时间，编程时需要额外的高电压Vpp和Vcc。EPROM为程序存储提供了一种可行方案，在微处理器应用中能够提供适当的接口和读时间，但由于缺少电擦除功能无法用于非易失数据存储。 EEPROM是一种较好的程序存储方案，但其有限的写周期次数和较低的写速度使其很少