半导体物理第三章文稿.pptVIP

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  • 2016-11-27 发布于山西
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半导体物理第三章文稿

半导体物理学 湖南科技大学物电学院 盛威 第三章 半导体中载流子的统计分布 晶体中K的允许值为: 3.2 费米能级和载流子的统计分布 把半导体中的电子看作是近独立体系,即认为电子之间的相互作用很微弱. 电子的运动是服从量子力学规律的,用量子态描述它们的运动状态.电子的能量是量子化的,即其中一个量子态被电子占据,不影响其他的量子态被电子占据.并且每一能级可以认为是双重简并的,这对应于自旋的两个容许值. 在量子力学中,认为同一体系中的电子是全同的,不可分辨的. 电子在状态中的分布,要受到泡利不相容原理的限制. 适合上述条件的量子统计,称为费米-狄拉克统计. §3.2.1 费米分布函数 习题 计算能量在 到 之间单位体积的量子态数。 解:导带底附近每单位能量间隔内的量子态数为: 当 为 时,分别用费米分布函数和玻尔兹曼分布函数计算电子占据各该能级的概率。 少数载流子: n型半导体中的空穴,p型半导体中的电子 少数载流子浓度(强电离区为例) 少数载流子与温度的关系 3.5 一般情况下载流子统计分布 一般情况的电中性条件 同时含一种施主杂质和一种受主杂质 同时含若干种施主杂志和若干种受主杂质 NDNA情况(含少量受主杂质的n型半导体)

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