量子阱半导体激器的的基本原理及其应用.docVIP

半导体器件与工艺课程结课论文 学号、专业： 1302304006 集成电路工程 姓 名： 于政池 论 文 题 目：量子阱半导体激光器的的基本原理及应用 指 导 教 师： 岳宏卫 所 属 学 院： 信息与通信学院 成绩评定 教师签名 桂林电子科技大学研究生院 2014年 1 月 7 日 量子阱半导体激光器的的基本原理及其应用 摘要：本文主要阐述了量子阱及应变量子阱材料的能带结构，以及能态密度和载流子有效质量的变化对激光器阈值电流等参数的影响，简要说明了量子阱激光器中对光场的波导限制。最后对量子阱半导体激光器的应用作了简要的介绍，其中重点是GaN蓝绿光激光器的发展和应用。 引言 　半导体激光器自从1962年诞生以来，就以其优越的性能得到了极为广泛的应用，随着新材料新结构的不断涌现和制造工艺水平的不断提高，其各方面的性能也不断得到改善，应用范围也不在再局限于信息传输和信息存储，而是逐渐渗透到材料加工、精密测