常用近500个三极管(MOSFET)中文精编.doc

9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的区别 9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-80 9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管 放大倍数30-90 9013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管 放大倍数40-110 9014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-90 8050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100 8550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140 详情如下：90系列三极管参数 90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。 9011 结构：NPN 集电极-发射极电压 30V 集电极-基电压 50V 射极-基极电压 5V 集电极电流 0.03A 耗散功率 0.4W 结温 150 特怔频率 平均 370MHZ 放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9012 结构：PNP 集电极-发射极电压 -30V 集电极-基电压 -40V 射极-基极电压 -5V 集电极电流 0.5A 耗散功率 0.625W 结温 150 特怔频率 最小 150MHZ 放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9013 结构：NPN 集电极-发射极电压 25V 集电极-基电压 45V 射极-基极电压 5V 集电极电流 0.5A 耗散功率 0.625W 结温 150 特怔频率 最小 150MHZ 放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9014 结构：NPN 集电极-发射极电压 45V 集电极-基电压 50V 射极-基极电压 5V 集电极电流 0.1A 耗散功率 0.4W 结温 150 特怔频率 最小 150MHZ 放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000 9015 结构：PNP 集电极-发射极电压 -45V 集电极-基电压 -50V 射极-基极电压 -5V 集电极电流 0.1A 耗散功率 0.45W 结温 150 特怔频率 平均 300MHZ 放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000 9016 结构：NPN 集电极-发射极电压 20V 集电极-基电压 30V 射极-基极电压 5V 集电极电流 0.025A 耗散功率 0.4W 结温 150 特怔频率 平均 620MHZ 放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9018 结构：NPN 集电极-发射极电压 15V 集电极-基电压 30V 射极-基极电压 5V 集电极电流 0.05A 耗散功率 0.4W 结温 150 特怔频率 平均 620MHZ 放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 三极管8550 8550是一种常用的普通三极管。它是一种低电压,大电流,小信号的PNP型硅三极管 集电极-基极电压Vcbo：-40V 工作温度：-55 to +150℃ 和8050（NPN）相对 主要用途： 开关应用 射频放大 三极管8050 8050是常用的NPN小功率三级管，下面是的8050引脚图参数资料。 8050管脚图 8050三级管参数:类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电（VCEO）:25; 频率:150 KHz PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W 3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K 2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K19MT050XF MTP 500 31 FA38SA50LC SOT-227 (Iso) 500 38 FA57SA50LC SOT-227 (Iso) 500 57 FB180SA10 SOT-227 (Iso) 100 180 FC40SA50FK SOT-227 (Iso) 500 40 IRC540 TO-2