3-6金属氧化物.pptVIP

* p-型半导体(Positive type semiconductor) 如非计量NiO1+x，缺正离子造成非计量性，形成阳离子空穴；为了保持电中性，在空穴附近有两个Ni2+变成Ni2+⊕，可看作Ni2+束缚一个正电空穴，在价带附近形成一个附加能级，该正电空穴可看作是受主，所在能级称为受主能级；温度升高时正电空穴变成自由空穴，在固体表面迁移，是NiO1+x导电的来源 P型半导体形成原因 阳离子缺位 + + Ni2+ 费米能级Ef：半导体中电子的平均位能； 用以衡量固体中电子逸出的难易 本征半导体：Ef位于禁带中央。 N型半导体： EF在施主能级和导带之间； P型半导体： EF在受主能级和满带之间。 费米能级、逸出功 在不是绝对零度的情况，半导体的费米能级，相当于 “平均人次”， 对于自家而言，「人」与「位子」的数量都是既定的，一人走，一位空，而「位子」只有 导带及价带 两排，所以，「人」坐到任何一排的几率是均等的，而两排位子的上坐率也是相等的， 本征半导体，N化后就有自由电子，而P化了则有可供底物的价带电子走动的空档， 自由的电子就是在导带，有自由电子就是电子升上导带的几率增加，故N化半导体的费米能级靠近导带；P化半导体缺少电子，其空档可供价带的电子借道流动，在价带就是空穴的流动，故费米能级就靠近价带。 逸出功(Φ) 电子的逸出功Φ, 电子克服原子核的束缚，从材料表