第2章发光二极管和发光二极管组件汇总.pptVIP

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  • 2016-11-29 发布于湖北
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第2章发光二极管和发光二极管组件汇总.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 同质结:P区、N区为同一种物质(GaAs)构成的半导体称同质结半导体,这两种半导体拥有相同的禁带宽度。 Pa LED Pe 同质结缺点: 1、激活区(电子-空穴复合区域)太发散,整个装置效率很低,需要很高电流密度。由复合产生的光起初向各个方向辐射出去,但是只在上电极一侧或者开边一侧透光窗口才允许光最终能从半导体结构中射出,所有其他可能的方向都被封住防止光外泄。2、产生的光束太宽,导致光源-光纤耦合效率低。 同质结与异质结 * 光纤 n1 n2 ?0 ?c n0 n0 φc * 为了克服同质结的缺点,需要加强结区的光波导作用及对载流子的限定作用,这时可以采用异质结结构。所谓异质结,就是由带隙及折射率都不同的两种半导体材料构成的PN结。异质结可分为单异质结(SH)和双异质结(DH)。 异质结半导体激光器与同质结半导体激光器不同。它是利用不同折射率的材料来对光波进行限制,利用不同带隙的材料对载流子进行限制。 * 异质结:由几种不同类型的半导体材料组成,每种材料有不同的禁带宽度。大规模商业化生产的光定向好的并具有可接受效率的LED都采用异质结。 1、相邻层间带隙差限制了载流子激活区 2、相邻层间折射率差使辐射光约束在中心有源层 * 双异质结:为了进一步降低阈值电流实现室温下连续工作,通常采用双异质结结构,与单异质结相比,双异质结进一步限制了载流子的扩散和光波衍射,从而进一步降低了电流密度。 * 颜色 波长 (nm) 基本材料 正向电压 (10mA时)V 光强(10mA时,张角±45°)(mcd) 光功率 (μW) 红外 900 砷化镓 1.3~1.5 100~500 红 655 磷砷化镓 1.6~1.8 0.4~1 1~2 鲜红 635 磷砷化镓 2.0~2.2 2~4 5~10 黄 583 磷砷化镓 2.0~2.2 1~3 3~8 绿 565 磷化镓 2.2~2.4 0.5~1 1.5~8 LED的主要特性 * LED的P-I特性如图所示。与半导体激光器的P-I特性相比,LED没有阈值,其线性范围较大。在注入电流较小时,曲线基本上是线性的,当注入电流较大时,由于PN结的发热而出现饱和现象。 (1)P-I特性: * 正向电流促使电子进入耗尽区,在那里它们同时以辐射和非辐射两种方式与空穴发生复合。因此,非辐射复合占用了产生辐射复合的电子数量,从而降低了这个过程的效率,我们用内部量子效率 来衡量 LED输入输出特性如图所示: 特点:无阈值,线性范围大,当I增大,由于PN结发热,出现饱和现象。 * 光功率P等于每秒通过的光子数目与单个光子能量EP的乘积。而每秒通过的光子数目等于每秒通过的受激电子数目与内部量子效率的乘积,我们可以得到公式: 每秒通过的电子数目与电子电量e的乘积就是电流I的定义: 内部量子效率(internal quantum efficiency):输出光子数与注入电子数之比 * 外部量子效率 半导体内产生的光子,通过半导体向外传播时,由于受到半导体的吸收,被半导体表面反射,通常用外量子效率来描述。 考虑到耦合效率,实际上耦合进光纤的光功率更少。 * (2)光谱特性以及温度依赖性: 由于在发光二极管中没有选择波长的谐振腔,所以它的光谱是自发辐射的光谱。在室温下,短波长GaAlAs-GaAs LED谱线宽度为30~50nm,长波长InGaAsP-InP LED谱线宽度为60~120nm。随着温度升高,谱线宽度增大,且相应的发射峰值波长向长波长方向漂移,其漂移量为0.3nm/℃左右。 * * VBR —反向击穿电压 指二极管加反向电压时,使反向电流突然增大时的电压。不同的二极管有不同的反向击穿电压。 IR(IS) —反向饱和电流 指二极管加反向电压时,在没有击穿前的电流。越小越好。一般几nA到几μA。 (3)U-I特性: IF —最大整流电流 指正常功率下的正向平均电流;根据二极管功率不同,由几mA到几百mA。 * (4)调制特性: LED有两种调制方式-模拟调制和数字调制,如下图所示。 * LED的带宽主要由注入有源区的载流子寿命时间τe的限制,τe一般为10-8s的量级,发光二极管的频率响应可以表示为: 式中:P(0)

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