2-1-1氧化鋅之晶體結構介紹.docVIP

2-1-1氧化鋅之晶體結構介紹 氧化鋅（zinc oxide thin films ,ZnO）為N型Ⅱ-Ⅵ族的寬能隙半導體材料，其結構屬於六方晶系(hexagonal close-packed (HCP))纖鋅礦結構(Wurzite) ，結構如圖2-1所示，ZnO結構，頂端與底面皆由六個鋅原子形成規則的六方形，且圍繞一個鋅原子為中心。氧化鋅具有高熔點(1975℃)和熱穩定性，溶於酸鹼，但不溶於水、酒精，是一種金屬氧化物半導體薄膜，其光學能隙(optical band gap)寬度約為3.3eV，大於可見光的能量，使得ZnO膜對於可見光區具有高透光度。 氧化鋅薄膜之應用，如光電材料、感測器、壓電材料等。未經摻雜的氧化鋅薄膜，其電子傳導是由化學計量比的偏差所產生，由本質缺陷、氧空缺(oxygen vacancies)及間隙型鋅原子(interstitial zinc)之淺層施體能階提供，其電阻值相當高，具壓電效應，傳統上多應用於壓電材料方面，如表面聲波元件。在光電材料上，為了改善透明導電膜它的導電率，一般摻雜鋁、鎵、銦等雜質，會大大的提升薄膜的導電性[13、14]。 圖2-1 氧化鋅結構圖 2-1-2氧化鋅材料特性介紹 氧化鋅(Zinc Oxide，ZnO)是一種金屬氧化物材料，為II-VI族的N型寬能隙半導體材料，熔點約1975℃具有較高的熱穩定性，且氧化鋅不溶於