光刻与刻蚀工艺流程介绍.ppt

掌握 光刻胶的组成 +PR 和 –PR的区别 描述光刻工艺的步骤 四种对准和曝光系统 Explain relationships of resolution and depth of focus to wavelength and numerical aperture. 光刻概述 Photolithography 临时性地涂覆光刻胶到硅片上 把设计图形最终转移到硅片上 IC制造中最重要的工艺 占用40 to 50% 芯片制造时间 决定着芯片的最小特征尺寸 光刻需要 高分辨率 High Resolution 光刻胶高光敏性 High PR Sensitivity 精确对准 Precision Alignment Photoresist(PR)－光刻胶 光敏性材料 临时性地涂覆在硅片表面 通过曝光转移设计图形到光刻胶上 类似于照相机胶片上涂覆的光敏材料 Photoresist 负胶的缺点 聚合物吸收显影液中的溶剂 由于光刻胶膨胀而使分辨率降低 其主溶剂，如二甲苯等会引起环境和安全问题 正胶 Positive Photoresist 曝光部分可以溶解在显影液中 正影（光刻胶图形与掩膜图形相同） 更高分辨率（无膨胀现象） 在IC制造应用更为普遍 对光刻胶的要求 高分辨率 – Thinner PR film has higher the resolution – Thinner PR film, the lower the etching and ion implantation resistance 高抗蚀性 好黏附性 光刻工艺 Photolithography Process 光刻基本步骤 光刻工序 1、清洗硅片 Wafer Clean 2、预烘和底膜涂覆 Pre-bake and Primer Vapor 3、光刻胶涂覆 Photoresist Coating 4、前烘 Soft Bake 5、对准 Alignment 6、曝光Exposure 7、后烘 Post Exposure Bake 8、显影 Development 9、坚膜 Hard Bake 10、图形检测 Pattern Inspection 光刻1－硅片清洗 目的 --去除污染物、颗粒 --减少针孔和其它缺陷 --提高光刻胶黏附性 基本步骤 – 化学清洗 – 漂洗 – 烘干 光刻2－预烘 脱水烘焙--去除圆片表面的潮气 增强光刻胶与表面的黏附性 通常大约100 °C 与底胶涂覆合并进行 底胶广泛使用: Hexamethyldisilazane (HMDS，六甲基乙硅氮烷) HMDS的作用：去除SiO2表面的-OH基。 光刻3－涂胶 Spin Coating 硅圆片放置在真空卡盘上 高速旋转 液态光刻胶滴在圆片中心 光刻胶以离心力向外扩展 均匀涂覆在圆片表面 设备--光刻胶旋涂机 光刻胶厚度与旋转速率和粘性的关系 滴胶 光刻胶吸回 Photoresist Spin Coating Photoresist Spin Coating 光刻4－前烘 ①作用：促进胶膜内溶剂充分挥发，使胶膜干燥； 增加胶膜与SiO2 （Al膜等）的粘附性及耐磨性。 ②影响因素：温度，时间。 烘焙不足（温度太低或时间太短）－显影时易浮胶， 图形易变形。 烘焙时间过长－增感剂挥发，导致曝光时间增长， 甚至显不出图形。 烘焙温度过高－感光剂反应（胶膜硬化）， 不易溶于显影液，导致显影不干净。 56、Alignment and Exposure Most critical process for IC fabrication Most expensive tool (stepper) in an IC fab. Most challenging technology Determines the minimum feature size Currently 0.13 μm and pushing to 0.09 or 0.065 μm 对准和曝光设备 接触式曝光机 接近式曝光机 投影式曝光机 步进式曝光机（Stepper） 接触式曝光机 设备简单 分辨率：可达亚微米 掩膜与圆片直接接触，掩膜寿命有限 微粒污染 接触式曝光机 接触式曝光 接近式曝光机 掩膜与圆片表面有5－50μm间距 优点：较长的掩膜寿命 缺点：分辨率低（线宽 3 um） 接近式曝光机 接近式曝光 投影式曝光机 类似于投影仪