复旦-半导体器件-仇志军绪论.pptVIP

*/23 半导体器件原理 主讲人：仇志军 本部遗传楼309室Email: zjqiu@fudan.edu.cn  助教：王晨禹14110720017@fudan.edu.cn */23 课程代码：INFO130023.03 （研讨性课程） 课程性质：专业必修 学分：4 时间：周一（6, 7）、周三（3, 4） 教室：Z2301 课程特点：公式多、微观物理过程多 课程要求：着重物理概念及物理模型；基本的推导和计算 课程考核：期末考试成绩 (90%)，作业+研讨+考勤 (10%) 课程简介 */23 课程简介 参考书目 曾树荣，《半导体器件物理基础》，北京大学出版社（2002）. 刘树林，张华曹，柴长春，《半导体器件物理》，电子工业出版社（2005）. 黄均鼐，汤庭鳌，《双极型与MOS半导体器件原理》. 施敏（美）著，黄振岗译，《半导体器件物理》，电子工业出版社（1987）. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd, John Wiley and Sons Inc. (1981). 刘永，张福海编著，《晶体管原理》，国防工业出版社（2002）. S. Wolf， Silicon Processing for the VLSI Era