数字电子技术基础课程课件lecture_noktes_7.pptVIP

第三章 门电路 3.1 概 述 3.2 半导体二极管和三极管的开关特性 概述 在数字电路中,用高、低电平分别表示二值逻辑1和0. 获得高、低电平的基本原理 Vo Vcc VI R 1 0 Vo Vcc VI R 二极管及三极管的开关特性 数字电路中的晶体二极管、三极管和MOS管工作在开关状态。 　　导通状态：相当于开关闭合 　　截止状态：相当于开关断开。 　　逻辑变量←→两状态开关： 在逻辑代数中逻辑变量有两种取值：0和1； 　　电子开关有两种状态：闭合、断开。　　 　　半导体二极管、三极管和MOS管，则是构成这种电子开关的基本开关元件。 　 　(1) 静态特性： 断开时，开关两端的电压不管多大，等效电阻ROFF = 无穷，电流IOFF = 0。 　 闭合时，流过其中的电流不管多大，等效电阻RON = 0，电压UAK = 0。 　 (2) 动态特性：开通时间 ton = 0 关断时间 toff = 0 理想开关的开关特性： 　　客观世界中，没有理想开关。 　　乒乓开关、继电器、接触器等的静态特性十分接近理想开关，但动态特性很差，无法满足数字电路一秒钟开关几百万次乃至数千万次的需要。 　　半导体二极管、三极管和MOS管做为开关使用时，其静态特性不如机械开关，但动态特性很好。 二极管的开关特性 1. 静态特性及开关等效电路 正向导通时UD(ON)≈0.7V（硅） 0.3V（锗） RD≈几Ω ～几十Ω 相当于开关闭合 图2-1 二极管的伏安特性曲线 i(mA) u(V) 0 VON 反向截止时 反向饱和电流极小 反向电阻很大（约几百kΩ） 相当于开关断开 图2-1 二极管的伏安特性曲线 图2-2 二极管的开关等效电路 (a) 导通时 (b) 截止时 图2-1 二极管的伏安特性曲线 开启电压 理想化伏安特性曲线 2. 动态特性： 　　若输入信号频率过高，二极管会双向导通，失去单向导电作用。因此高频应用时需考虑此参数。 　　二极管从截止变为导通和从导通变为截止都需要一定的时间。通常后者所需的时间长得多。 反向恢复时间tre ：二极管从导通到截止所需的时间。 　　一般为纳秒数量级（通常tre ≤5ns ）。 二极管与门电路 1. 电路 2. 工作原理 A、B为输入信号 （+3V或0V） F 为输出信号 VCC＝+12V 表2-1　电路输入与输出电压的关系 A B F 0V 0V 0.7V 0V 3V 0.7V 3V 0V 0.7V 3V 3V 3.7V 用逻辑1表示高电平（此例为≥+3V） 用逻辑0表示低电平（此例为≤0.7V） A B F 0V 0V 0.7V 0V 3V 0.7V 3V 0V 0.7V 3V 3V 3.7V 3. 逻辑赋值并规定高低电平 4. 真值表 A B F 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 表2-2 二极管与门的真值表 A、B全1，F才为1。 可见实现了与逻辑 二极管或门电路 1. 电路 2. 工作原理 电路输入与输出电压的关系 A B F 0V 0V 0V 0V 3V 2.3V 3V 0V 2.3V 3V 3V 2.3V A、B为输入信号（+3V或0V） F　　为输出信号 4. 真值表 A B F 0V 0V 0V 0V 3V 2.3V 3V 0V 2.3V 3V 3V 2.3V 可见实现了或逻辑 3. 逻辑赋值并规定高低电平 用逻辑1表示高电平（此例为≥+2.3V） 用逻辑0表示低电平（此例为≤0V） A B F 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 A、B有1，F就1。 表2-2 二极管或门的真值表 双极型三极管的结构 管芯 + 三个引出电极 + 外壳 三极管的开关特性 基区薄 低参杂 发射区高参杂 集电区低参杂 VON ：开启电压 硅管，0.5 ~ 0.7V 锗管，0.2 ~ 0.3V 近似认为: VBE VON iB = 0 VBE ≥ VON iB 的大小由外电路电压、电阻决定 三级管的输入特性曲线（NPN） 三级管的输出特性 固定一个IB值，即得一条曲线， 在VCE 0.7V以后，基本为水平直线 特性曲线分三个部分 放大区：条件VCE 0.7V, iB 0, iC随iB成正比变化， ΔiC=βΔiB 饱和区：条件VCE 0.7V, iB 0, VCE 很低，ΔiC