3 无机材料的电导-2.pptVIP

* 导电的原因：在其中存在大量的悬空键和区域化的电荷区，从能带结构分析，在价带和导带之间存在很多局部能级，大多数硫属化合物为本征（热激活）电导，难于实现价控。 实现价控半导体的举例： 采用SiH4的辉光放电法形成非晶态硅，悬空键被H补偿成为?--Si:H，实现价控，在太阳能电池上获得应用。 * 5.4.2 多晶多相材料的电导 相组成： 晶粒、晶界、玻璃相、气孔、 相组成的导电性： 玻璃相、微晶相（缺陷多）电导率较高。气孔电导率小，但如果气孔形成通道，环境中的水份、杂质易进入，对电导有影响。作为绝缘子使用，必须提高其致密度。 * 无机材料电导混合法则 （a) 串联n=-1 (b) 并联n==1 (c)均匀分散n=0 G为晶粒相，B为晶界相 * 对数混合法则 * 小结 半导体概念，P，N半导体能带结构； 半征电子电导率计算； 影响电子电导的因素； 作业 P N半导体能带结构 习题5。 无机材料物理性能 邓承继博士 * 无机材料物理性能 邓承继博士 * 无机材料物理性能 邓承继博士 * 无机材料物理性能 邓承继博士 * 无机材料物理性能 邓承继博士 * 无机材料物理性能 邓承继博士 * 无机材料物理性能 邓承继博士 * 无机材料物理性能 邓承继博士 * 无机材料物理性能 邓承继博士 * 无机材料物理性能 邓承继博士 * 无机材料物理性能 邓承继博士 * 无机材料物理性能 邓承继博士 * 无机材料物理性能 邓承继博士 * 无机材料物理性能 邓承继博士 * 无机材料物理性能 邓承继博士 * 无机材料物理性能 邓承继博士 * 无机材料物理性能 邓承继博士 * 无机材料物理性能 邓承继博士 * 无机材料的电子电导 * 离子电导内容回顾 载流子，迁移率，电导与迁移率的关系； 本征电导的n和填隙离子的n、 ?; 间隙离子的电导率及影响因素； 固体电解质原理。 * 电阻： U=RI 电阻率或比电阻 R=?L/S J：电流密度： E：电场强度； ?：载流子的迁移率； q：一个载流子的电荷 n：载流子的浓度. 电导率 ?=1/ ? =J/E=nq? 5.3.1 载流子的散射概述 * 在外电场E的作用下， 金属中的自由电子的加速度：a==eE/m e 电子每两次碰撞之间的平均时间2?； 松弛时间? ，与晶格缺陷和温度有关，温度越高，晶体缺陷越多电子散射几率越大， ?越小； 单位时间平均散射次数1/2 ? ；电子质量m e； 自由电子的平均速度：v= ?eE/m e ； 自由电子的迁移率： ?e=v/E= ?e/m e ； 晶格场中电子的迁移率： ?e=v/E=?e/m*（有效电子） * 1. 电离杂质的散射 + — 2. 晶格振动的散射 半导体的主要散射（附加势场）机构有： 晶格中的原子在其平衡位置作微振动，引起周期性势场的破坏，原子振动的具体表现形式为声子，晶格振动的散射可以看作声子与电子的碰撞。 * 5.3.2 能带概念 孤立原子，电子在内外许多层轨道上运动，每层轨道对应确定的能量； 当原子形成晶体时，不同原子的内外各层轨道将发生不同的交叠，原来属于某个原子的电子不再局限于这个原子，它可以转移到相邻的原子上去，这样电子可在整个晶体中运动，即电子共有化运动。 外层电子轨道重叠大，电子共有化特性显著，电子只能在能量相同的轨道之间的转移； * 以金刚石为例，单个原子的电子结构为（1s）2, (2s)2, (2p)2 ,N个时其能级如右图所示。 在其它原子势场的作用下，相同能量的一些能级，将分裂成具有不同能量的一些能级构成的带，称为能带。 上下能带之间的能量间隙，不存在电子运动，称为禁带。 2S、2P能级各自分裂成单独能带 两能带重叠形成8N个电子态能带 分裂成各含4N个电子态的新能带 * 满带和不满带中的电子分布 * 本征半导体的电子能带结构 * (c) (a)金属Eg=0，（b)半导体Eg(0,2eV)，（c) 绝缘体Eg≥2eV 少数电子激发到空着的能带，它能导电，这个能带称导带，能量为Ec； 原来被电子充满的能带，因失去电子而不满，形成空穴导电，它被价电子占领，称为价带，能量为Ev。 Eg=Ec-Ev * 本征半导体的能带结构随温度变化 * 本征半导体：载流子为电子和空穴，其浓度相等，其由热激发产生； 5.2.3 本征半导体和杂质半导体 电子（空穴）浓度为： 等效状态密度 禁带 费米能级Ef：电子存在几率为1/2的能级。Ef处于Ec和Ev之间。 电导率： P238 * 杂质半导体 Si Si Si P Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si