关于半导体 pn 结接触电势的研究.docxVIP

关于半导体 pn 结接触电势的研究文 摘 讨论了半导体 pn 结内建电场和接触电势的形成与可测性， 回答了在半导体物理学 pn 结内容教学中学生经常会提出的一个似是而非的问题。从热力学第一定律、金属-半导体接触等不同角度详细解释了热平衡(零偏下)时 pn 结不可能对外输出电压和电流的原因。关键词 pn 结；金属-半导体接触；接触电势；内建电场1 引言当两种导电类型不同的半导体形成 pn 结后(如图1)， 在结附近会形成一个空间电荷区(如图 1(a))， 由于其内部载流子浓度远低于中性区的载流子浓度，又称为耗尽区。在空间电荷区中存在着一个从 n 区指向 p区的内建电场(又称自建电场)， 其分布如图 1(b)所示。这样在 pn 结耗尽层外的两侧会产生一个电势差(电势分布如图 1(c)所示)，称为 pn 结接触电势差 V D 。从能带图上可以看出， 这个电势差要阻碍 p 区(n 区)的空穴(电子)向 n 区(p 区)扩散(如图 1(d)所示)， 所以 qVD又称为接触势垒， 正是由于这个接触势垒的存在才避免了pn 结中载流子的无止境扩散， 因此在零偏下(更准确地讲应是热平衡时)pn 结不会有宏观净电流流过。初次接触上述物理图像， 学生一般觉得很容易理解， 但当半导体物理知识掌握到一定程度时，又会发现上述物理图像不好理解， 学生常常会提这样一个问题：“既然如图 1(c)所示热平衡的