第五章 电极系统.pptxVIP

半导体工艺原理第五章 电极系统 5.1 金属-半导体接触5.5 GaAs的欧姆接触5.2 欧姆接触 5.3 金属电极材料 5.4 金属电极系统的失效机理本章内容提要E0Wm(EF)m§ 5.1 金属-半导体接触一、金属和半导体的功函数1、金属的功函数Wm金属功函数的定义: 真空中静止电子的能量E0 与 金属的 EF 能量之差，即上式表示一个起始能量等于费米能级的电子由金属内部逸出到真空中所需要的最小值。功函数的大小标志着电子在金属中束缚的强弱，Wm越大，电子越不容易离开金属。金属功函数约为几个电子伏特。铯的功函数最低(1.93eV), 铂的最高（5.36eV)。E0χWsEcEn(EF)sEv2、半导体的功函数Ws 在半导体中，导带底 Ec 和价带顶 EV一般都比 E0 低几个电子伏特。半导体功函数的定义: 真空中静止电子的能量 E0 与 半导体的 EF 能量之差，即电子的亲合能：从E0 到 Ec 的能量间隔，即x称为电子的亲和能，它表示要使半导体导带底的电子逸出体外所需要的最小能量。E0χWsEcEn(EF)sEv n型式中：E0χEcWsEg(EF)s p型Ep式中：EvNote: 和金属不同的是，半导体的费米能级随杂质浓度变化，因而Ws也和杂质浓度有关。故常用亲合能表征半导体。① n型半导体：② P型半导体：半导体半导体What?金属金属新的物理效应和应用能带结构发生变化金属/半导体接触E0E0?WsEcWmEn(EF)s(EF)mEv金属n型半导体二、金属与半导体接触及接触电势差设想有一块金属和一块n型半导体，并假定金属的功函数大于半导体的功函数，即：即半导体的费米能级(EF)s高于金属的费米能级(EF)m金属的传导电子的浓度很高，1022～1023cm-3半导体载流子的浓度比较低，1010～1019cm-3(a) 接触前结果降低了金属的电势(Vm)，提高了半导体的电势(Vs) 。达到平衡状态，金属和半导体的费米能级在同一水平线上，?D(b) 间隙很大 (D原子间距)在接触开始时，半导体中的电子将向金属流动，使金属表面带负电，半导体表面带正电。平衡时, 相对于(EF)m, 半导体的(EF)s下降为Vm: 金属电势，Vs?: 半导体电势接触电势差：?qVDE_+（c）紧密接触紧密接触后，电荷的流动使得在半导体表面相当厚的一层形成正的空间电荷区。空间电荷区形成电场，其电场在界面处造成能带弯曲，使得半导体表面和内部存在电势差，即表面势Vs。半导体体内电场为零，在空间电荷区电场方向由内向外，半导体表面势Vs＜0，能带向上弯曲。接触电势差分降在空间电荷区和金属与半导体表面之间。若D?原子间距, 电子可自由穿过间隙, Vms? 0, 则接触电势差大部分降落在空间电荷区。qVD金属一边的势垒高度为：（d）忽略间隙考虑忽略间隙中的电势差时的极限情况时，有半导体一边的势垒高度为：qVDE_+当金属与n型半导体接触（1）WmWs接触前：接触后：E0界面E0电子阻挡层?WsEcEnWm(EF)s(EF)mXDEv金属n型半导体? 半导体表面形成一个正的空间电荷区。? 电场方向由体内指向表面 (Vs0)。 半导体表面电子的能量高于体内的，能带向上弯曲，即形成表面势垒。在势垒区中，空间电荷主要由电离施主形成，电子浓度要比体内小得多，因此它是一个高阻的区域，常称为阻挡层。界面处的势垒通常称为肖特基势垒。E0WmWsEcEEFmEcEFsEFsEvEv当金属与n型半导体接触（2）Wm Ws? 半导体表面形成一个负的空间电荷区。? 电场方向由表面指向体内(Vs0)。? 半导体表面电子的能量低于体内的，能带向下弯曲。在空间电荷区中，电子浓度要比体内大得多，因此它是一个高电导的区域，称为反阻挡层，即电子反阻挡层 －高导通区。电场EEcE0WmEFEcEFmEvWsEFsqVd接触后xdEv当金属与p型半导体接触（1）WmWs? 半导体表面形成负的空间电荷区。 电场方向由表面指向体内（Vs0）。 半导体能带向下弯曲，形成空穴的表面势垒。在半导体的势垒区，空间电荷主要由负的电离受主形成，其多子空穴浓度比体内小得多，也是一个高阻区域，形成空穴阻挡层。接触后：EE0xdEcWmWsEcEFsEvEFmEFEv当金属与p型半导体接触（2）WmWs? 在半导体表面形成正的空间电荷区。电场方向由体内指向表面（Vs0）。半导体表面能带向上弯曲。在空间电荷区中，空穴浓度比体内大得多，因而是一个高电导的区域，称之为反阻挡层，即空穴反阻挡层。形成n型和p型阻挡层的条件N型P型WmWs阻挡层反阻挡层WmWs反阻挡层阻挡层能带向上弯曲（高阻区）（高电导区）能带向下弯曲（高电导区）（高阻区）Note:反阻挡层是很薄的高电导层，对半导体和金属的接触电阻的影响是很小的，它在平