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- 2016-11-30 发布于湖南
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模拟电子技g术(第1章)
1.3 晶体三极管 晶体三极管中有两种带有不同极性电荷的载流子参与导电,故称之 为双极性晶体管,又称为半导体三极管,以下简称晶体管。常见晶 体管外形有: 小功率管 小功率管 中功率管 大功率管 1.3.1 晶体管的结构及类型 根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成 两个PN结,就构成晶体管。采用平面工艺制成的NPN型硅材料晶体 管的结构示意图如图所示: 多子浓度高 多子浓度很 低,且很薄 面积大 1.3.2 晶体管的电流放大作用 放大是对模拟信号最基本的处理。 基本放大电路如图所示: 为输入电压信号,接入基极-发射极回路,称为输入回路。 放大后的信号在集电极-发射极回路, 称为输出回路。 由于发射极是两个回路的公共端,故 称该电路为共射放大电路。 使晶体管工作在放大状态的外部条件是: 集电结反向偏置, 发射结正向偏置。 晶体管的放大作用表现为 小的基极电流可以控制大 的集电极电流。 1、晶体管内部载流子的运动 当上图示电路中的 时,晶体管内部载流子的运动示意图如图 所示: 因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区 因基区薄且多子浓度低,使极少数扩散到基区的电子与空穴复合 因集电区面积大,在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区 基区空穴的扩散 少数载流子的运动 扩散运动形成发射极电流IE,复合运动形成基极
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