模拟电子技术精品课程课t件ppt1.pptVIP

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  • 2016-11-30 发布于湖南
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模拟电子技术精品课程课t件ppt1

3、P沟道耗尽型MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道 MOSFET完全相同,只不过导电的载流子不同,供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 4. MOS管的主要参数 (1)开启电压UT (2)夹断电压UP (3)跨导gm :gm=?iD/?uGS? uDS=const (4)直流输入电阻RGS ——栅源间的等效电阻。由于MOS管栅源间有sio2绝缘层,输入电阻可达109~1015。 本章小结 1.半导体材料中有两种载流子:电子和空穴。电子带负电,空穴带正电。在纯净半导体中掺入不同的杂质,可以得到N型半导体和P型半导体。 2.采用一定的工艺措施,使P型和N型半导体结合在一起,就形成了PN结。PN结的基本特点是单向导电性。 3.二极管是由一个PN结构成的。其特性可以用伏安特性和一系列参数来描述。在研究二极管电路时,可根据不同情况,使用不同的二极管模型。 4.BJT是由两个PN结构成的。工作时,有两种载流子参与导电,称为双极性晶体管。BJT是一种电流控制电流型的器件,改变基极电流就可以控制集电极电流。BJT的特性可用输入特性曲线和输出特性曲线来描述。其性能可以用一系列参数来表征。BJT有三个工作区:饱和区、放大器和截止区。 6.FET分为JFET和MOSFET两种。工作时只有一种载流子参与导电,因此称为单极性晶体管

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