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黄河水利职业技术学院 曾令琴 补充：电路分析的一些基本知识 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 三价元素硼(B) B + 掺入硼杂质的硅半导体晶格中，空穴载流子的数量大大增加。因此空穴是这种半导体的导电主流。 一般情况下，杂质半导体中的多数载流子的数量可达到少数 载流子数量的1010倍或更多，因此，杂质半导体比本征半导体 的导电能力可增强几十万倍。 掺入三价元素的杂质半导体，由于空穴载流子的数量大大于自 由电子载流子的数量而称为空穴型半导体，也叫做P型半导体。 在P型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电 子，而不能移动的离子带负电。 － 不论是N型半导体还是P型半导体，其中的多子和少子的 移动都能形成电流。但是，由于多子的数量远大于少子的 数量，因此起主要导电作用的是多数载流子。 注意： 掺入杂质后虽然形成了N型或P型半导体，但整个半 导体晶体仍然呈电中性。 一般可近似认为多数载流子的数量与杂质的浓度相等。 P型半导体中的空穴多于自由电子，是否意味着带正电？ 自由电子导电和空穴导电的区别在哪里？空穴载流子的形成是否由自由电子填补空穴的运动形成的？ 何谓杂质半导体中的多子和少子 ？N型半导体中的多子是什么？少子是什么？ 5. PN结及其形成过程 PN结的形成 杂质半导体的导电能力虽然比本征半导体极大增强，但它