电工学第4d章.pptVIP

* * /webnew/ 一、半导体三极管 二、放大电路的基本知识 三、共发射极基本放大电路 四、稳定静态工作点的放大电路 第4章 半导体三极管及基本放大电路 五、多级放大电路 六、功率放大电路 4.1 半导体三极管 半导体三极管是一种具有两种载流子（自由电子和空穴）参与导电，并有三个电极的电流放大器件，又称晶体三极管，简称晶体管。它由两个背靠背的PN结构成。 4.1.1 半导体三极管的结构 半导体三极管种类很多，按半导体材料分，有硅管和锗管；按频率分，有高频管和低频管；按功率大小分，有大、中、小功率管；按内部结构分，有PNP型管和NPN型管；按工艺分，有合金管和平面管。 三个电极分别为发射极（Emitter）、基极(Base)和集电极（Collector），分别用字母E、B和C表示。 为了使晶体管具有放大作用，在制造时应具有以下结构特点： 1．集电区面积比发射区面积大，掺杂浓度比发射区小，专门用于收集载流子； 2．发射区掺杂浓度远大于基区的杂质浓度，以便于有足够的载流子供“发射”； 3．基区很薄，杂质浓度很低，以减小载流子在基区的复合机会。 图4.1 晶体管的结构示意图和图形符号 4.1.2 半导体三极管的电流放大作用 图4.2　晶体管特性测试电路 晶体管的放大是通过内部载流子的传输和控制作用实现的，即发