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一 . FLASH的发展历史: Flash存储器是在20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发性存储器,它具有结构简单、高密度、低成本、高可靠性和在系统的电可擦除性等优点,是当今半导体存储器市场中发展最为迅速的一种存储器.。 半导体不挥发性存储器((Non-Volatile Semiconductor Memory)的发展经历了从ROM、 PROM、EPROM（紫外线擦除）、EEPROM 到Flash存储器的各个阶段。 Flash结合了以往EPROM 结构简单、密度高和EEPROM 在系统的电可擦除性的一些优点,实现了高密度、低成本和高可靠性。 Flash存储器和传统存储器的最大区别在于它是按块(sector)擦除,按位编程,从而实现了快闪擦除的高速度。另外,块擦除还使单管单元的实现成为可能,从而解决了器件尺寸缩小和高集成度的问题。 Flash存储器以其优越的性能,成为半导体存储器市场中发展最为迅速的一种,它广泛应用于PCBIOS（个人电脑Basic Input Output System 基本输入输出系统）、数字蜂窝电话、汽车领域和微控制器等许多领域,并为目前较大容量磁介质存贮媒体提供了一种理想的替代产品[1]。工艺技术的进步和Flash技术的不断成熟使Flash存储器集成度迅速提高,目前已经达到1Gbit。同时,其价格也随之不断下降,并能与DRAM（dynamic动态随机存取存储器） 相比拟。未来,Flash存储器的发展主要集中在高集成度、高可靠性和嵌入式应用上。随着集成度的进一步提高,发展更小尺寸的存储单元,小尺寸器件的可靠性问题以及外围高低压CMOS（complementary metal oxide semiconductor互补金属氧化物半导体）兼容工艺的开发将显得尤为重要。 二. 与其他存储器的区别： FL AS H是 一种非易失性的存储器，即在掉电情况下仍能保证数据不丢失。与传统的ROM和EPROM相比，它可以通过与之相连的微处理器在线编程和擦除，这一优点使得FLASH十分适合嵌人式系统的设计和开发 3. 按数据访问方式，FLASH又可分为并行访问型、串行访问型和串行NAND访问型。并行访问型FLASH采用并行的数据和地址总线，并支持随机存取。在读数据时，它先将地址送到地址线，然后由控制线向FLASH发出读取指令，最后由FLASH将数据送到数据线。在写数据时，它先将地址和数据送到地址线和数据线，然后由控制线发出编程指令将数据锁存进相应的地址。其中，控制线的指令是向FLASH中的公共接口单元发出的，FLASH可在接到指令后判断微处理器进行何种操作。串行访问型FLASH则采用串行总线，常见的有SPI总线。其中地址和数据都是通过时钟来顺序传送的。串行NAND访问型FLASH尽管也采用8位并行总线，却不支持随机存取。它的命令字、地址和数据都是以8位并行传送的。一般用于与简单控制器的连接(如用于PC卡的ATA控制器)，而不直接和微处理器连接使用。在以上类型中，并行访问型FLASH较为常用。 8/ 16位FLASH可通过管脚BYTE选择8位或16位总线模式。 三 . 工作原理： （program流程图） （erase流程图） 三 . 微处理器与FLASH的连接方式： 微处理器与FLASH的连接大致有如图1所示的几种方式： 在图1(a)中，MCU按字节寻址，地址一一对应直接相连;在(b)中，MCU按字寻址，其中的两片FLASH，一片用于存储高字节，另一片存储低字节;(c)中的MCU按字节寻址，该方式可利用复用位A一1将FLASH划分成以字节为单位;在(d)中，MCU按字寻址，FLASH以字为单位。 当然，上述连接方式也不是唯一的。 通常不直接写人FLASH的主要原因是为了防止加电或去电时产生的脉冲信号写人FLASH而破坏原来的数据。 当FLASH焊到电路板上之后，对其编程有两种方式:第一种是通过与板相连的PROM编程器来进行，第二种则是通过微处理器(比如DSP)软件来编程。在第一种方式下，系统通过PROM编程器提供编程电压和编程指令。而在第二种方式下，其编程电压则是经内部的供给泵DC/ DC转换器将低电压上调而产生的，但在第二种方式下，需要根据FLASH支持的指令集编写驱动程序。这两种方式各有优点，但后者更适合于系统的在线升级。如前所述，对FLASH读写数据可以以字节或字为单位独立进行，但在写入之前必须先对所在的块进行删除操作。 FLASH工作模式：读阵列、自动选择、编程/擦除和擦除。在读阵列模式下，它相当于ROM，也就是说可以在指定的地址上读取数据。而在自动选择模式下，它可以读取识别号(厂商号和器件号)以及块保护状态标