4.5晶体生长解释.ppt

二螺旋生长理论 弗朗克等人在研究气相中晶体的生长时，估计体系过饱和度不小于25—50％。然而在实验中却难以达到,并且在过饱和度小于2％的气相中晶体亦能生长。这种现象并不是层生长理论所能解释的。 为了解决理论与实际的矛盾,他们根据实际晶体结构的各种缺陷中最常见的位错现象，在1949年提出了晶体的螺旋生长理论。 内容: 晶体生长界面上螺旋位错露头点可作为晶体生长的台阶源，促进光滑界面上的生长。 证实了螺旋生长理论 1.晶体生长的一般方法(掌握) 晶体是在物相转变的情况下形成的。 物相有三种，即气相、液相和固相。 由气相、液相?固相时形成晶体， 固相之间也可以直接产生转变。  晶体生长是非平衡态的相变过程，热力学一般处理平衡态问题，若系统处于准平衡状态，可使用热力学的平衡条件来处理问题 相平衡条件：各组元在各相的化学势相等 热平衡条件：系统各部分温度相等 力学平衡条件：系统各部分压强相等 4.5 晶体生长 (1)固相生长:固体?固体 在具有固相转变的材料中进行 石墨?金刚石 通过热处理或激光照射等手段，将一部分结构不完整的晶体转变为较为完整的晶体 微晶硅?单晶硅薄膜 (2)液相生长:液体?固体 溶液中生长 从溶液中