2011-12-1模拟电子技术A卷概论.doc

浙江科技学院 2011 -2012 学年第 一 学期考试试卷 A 卷 考试科目 电子技术基础（模拟部分）考试方式 闭卷 完成时限 2小时 拟题人 审核人 批准人 2012年 月 日 10 年级 专业 题序 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 加分人 复核人 得分 签名 命题： 得分 一、填空题。在题中“ ”处填上答案。（本大题共16小空，每空1分，总计16分） 1. 本征硅中若掺入3价元素的原子，形成的为______型半导体，多数载流子应是______，掺杂越多，则其数量一定越______，少数载流子是_______。 2．在实际应用的差分放大电路中，为了提高共模抑制比，通常用 代替Re，这种电路采用 电源供电方式。 3.某放大电路中正常放大的三极管，测得各电极对地电位为：VC= 7V，VB = 2.5V，VE = 1.8V则可判得为 型管。 4.某电压放大电路的波特图如右。由图可得，中频电压增益│Avm│= 倍，上限截止频率fH = Hz，下限截止频率fL