KOH溶液处理对AlGaN紫外探测器暗电流的影响.docxVIP

DOI :10.16136/j.joel .2009.10.007电子 · 激光20 卷第 10 期 2009 年 10 月 　　 Journal of Optoelectronics ·Laser Vol.20 No .10 O ct .2009KOH 溶液处理对AlGaN 紫外探测器暗电流的影响＊①王 玲＊＊ , 陈 杰, 许金通, 张 燕, 李向阳(中国科学院上海技术物理研究所 ,传感技术国家重点实验室 ,上海 200083)摘要 :采用KOH 溶液表面处理工艺制备得到了128 ×1线列日盲AlGaN紫外探测器 , 器件的反偏暗电流为 6 .88 ×10-9A(-8 V 时),比未采用此项工艺制备得到的器件的暗电流减小近 103 倍 。元素深度分布俄歇电子 谱(AES)等测试结果分析表明 ,采用这种表面处理工艺可以有效地去除干法刻蚀后材料表面的 N 空位、刻蚀生 成物及自然氧化物,减小了界面态密度 ,改善了电流-电压特性 ,减小了反偏暗电流。利用传输线模型 TLM 计算得到了 Ti/Al/Ti/Au 金属电极与高 Al 组分n-Al0.65 Ga0.35N 材料间的接触电阻率为8 .35 ×10-3 Ψcm2 。关键词:KOH 溶液表面处理 ;界面态;接触电阻 ;反偏暗电流中图分类号:TN304 .2　　文献标识码 :A 　　文章编号 :1005-0086(2009)10-1323-04The effect of KOH solution process on dark current of AlGaN ultraviolet photodetectorsWANG Ling＊＊ , CHEN Jie , XU Jin-tong , ZHANG Yan , LI Xiang-yang(State Key Laboratories of Transducer Technology , Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese A cademy of Sciences ,Shanghai 200083, China)Abstract :A high electrical performance 128 ×1 solar-blind ultraviolet photodiode was fabricated by the KO H solution surface process .The dark current with the dropping about 3 orders is 6.88×10-9 A at re-verse bias 8 V by using the surface process technology .The results of SEM and AES measurements have shown that the KOH solution surface process can efficiently remove the N vacancies ,dry-etched products and native oxides ,which reduces the density of interface states ,improves the current-voltage characteris-tics and reduces the reverse dark current .The specific contact resistivity between the multilayer Ti/Al/ Ti/Au metals and high Al contents n-type AlGaN materials after being treated by KOH solution is 8 .35 ×10-3 Ψcm2 .Key words:KOH solution process ;interface states ;contact resistivity ;dark current characteristics1 引 言氧化物(如AlOx 、GaOx),降低Ga、N 和Al 空位浓度,或是 S 原子填充N 空位,使表面费米能级或能带弯曲(SBB)发生变化,　　近年,随着 Alx Ga1 -x N 材料生长技术的提高, 研制日盲紫有利于提高光电子器件的性能[7 ～ 9] 。另一方面, 在 Alx Ga1-x N外光电子器件已成为可能。其中,如何降低反偏暗电流, 提高表面淀积Ti/Al 基多层金属而形成欧姆接触的机理[10,11] :一是器件响应率、降低其噪声和获得速率、频率特性等是制备金属、金属以及金属、材料之间反应生成降