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反冲质子法测量Am-Be中子源屏蔽辐照腔内的中子能谱 ---------中期报告 苏瀛枭 一．立项目的 1.?中子能谱是中子物理与应用技术研究领域中的一个重要物理量，更精确的中子能谱可以为我院中子物理实验室中以后开展工作提供必要的数据和应用支持。 2.利用反冲质子法测量屏蔽辐照腔内Am-Be中子源能谱，并与现有的通过阈探测法测量的中子能谱进行对比分析，讨论两者差异产生因素、来源。从而得到更高精度的中子源能谱数据。 二．基本思路： 1.中子源 熟悉各种中子源，本实验中采用同位素Am-Be中子源； 2．原理 学习反冲质子法测量中子能谱的原理及相关知识。 3.探测器 利用金硅面垒半导体探测器测量出反冲质子能谱。 4．解谱 将得到的反冲质子能谱运用用SAND-II 迭代法求解中子能谱； 5．分析 将所得中子能谱与已有的阈探测器法测量的中子能谱（王松林，兰长林 ２００９于兰大中子实验室）进行比较讨论。 按照论文里参考文献格式写