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低频时间常数为: 下限(-3 dB)频率为: 则 对数幅频特性 对数相频特性 因电抗元件引起的相移为附加相移。低频段最大附加相移为+90度 三、高频电压放大倍数 考虑并联在极间电容的影响,其等效电路: 图 5.4.4高频等效电路 b c e + Rb ~ ? + + + Rc Rs (动画avi\5-3.avi) 图 5.4.4 高频等效电路的简化(a) 由于输出回路时间常数远小于输入回路时间常数,故可忽略输出回路的结电容。 用戴维南定理简化图 5.4.4(b) — C ?与 R ? 构成 RC 低通电路。 c e + ~ ? + + Rc 高频时间常数: 上限(-3 dB)频率为: 的对数幅频特性和相频特性 高频段最大附加相移为-90度 四、波特图 绘制波特图步骤: 1. 根据电路参数计算 、fL 和 fH ; 2. 由三段直线构成幅频特性。 中频段:对数幅值 = 20lg 低频段: f = fL开始减小,作斜率为 20 dB/十倍频直线; 高频段:f = fH 开始增加,作斜率为 –20 dB/十倍频直线。 3. 由五段直线构成相频特性。 图 5.4.5 幅频特性 f O fL -20dB/十倍频 fH 20dB/十倍频 -270o -225o -135o -180o 相频特性 -90o 10 fL 0.1fL 0.1fH 10 fH f O ? 5.4.2 单管共源放大电路的频率响应 图5.4.7 单管共源放大电路及其等效电路 在中频段 开路,C短路,中频电压放大倍数为 在高频段,C短路,考虑 的影响,上限频率为: 在低频段, 开路,考虑C的影响,下限频率为: 电压放大倍数 5.4.3 放大电路频率响应的改善和增益带宽积 1. 为了改善放大电路频率响应,应降低下限频率, 放大电路可采用直接耦合方式,使得fL =0 2. 为了改善单管放大电路的高频特性,应增大上限 频率fH。 问题: fH的提高与Ausm的增大 是相互矛盾。 3.增益带宽积 中频电压放大倍数与通频带的乘积。 Ri = Rb // rbe 假设 Rb Rs,Rb rbe; (1 + gmRc)Cb?c Cb?e 说明: 式不很严格,但从中可以看出一个大概的趋势,即选定放大三极管后,rbb? 和 Cb?c 的值即被确定,增益带宽积就基本上确定,此时,若将放大倍数提高若干倍,则通频带也将几乎变窄同样的倍数。 如愈得到一个通频带既宽,电压放大倍数又高的放大电路,首要的问题是选用 rbb? 和 Cb?c 均小的高频三极管。 * 场效应管共源放大电路的增益带宽积(自阅) 复习: 1.晶体管、场效应管的混合 ? 模型 2.单管共射放大电路的频率响应 表达式: 波特图的绘制: 三段直线构成幅频特性 五段直线构成相频特性 5.5 多级放大电路的频率响应 5.5.1 多级放大电路频率特性的定性分析 多级放大电路的电压放大倍数: 对数幅频特性为: 在多级放大电路中含有多个放大管,因而在高频等效电路中有多个低通电路。在阻容耦合放大电路中,如有多个耦合电容或旁路电容,则在低频等效电路中就含有多个高通电路。 多级放大电路的总相位移为: 两级放大电路的波特图 图 5.5.1 fH fL 幅频特性 f O fL1 fH1 6 dB 3 dB 3 dB fBW1 fBW2 一 级 二 级 -20dB/十倍频 -40dB/十倍频 图 5.5.1 相频特性 -270o -360o fL1 fH1 f O ? -540o -180o -450o -90o 一 级 二 级 多级放大电路的通频带,总是比组成它的每一级的通频带为窄。 5.5.2 多级放大电路的上限频率和下限频率的估算 在实际的多级放大电路中,当各放大级的时间常数相差悬殊时,可取其主要作用的那一级作为估算的依据 即:若某级的下限频率远高于其它各级的下限频率,则可认为整个电路的下限频率就是该级的下限频率。同理若某级的上限频率远低于其它各级的上限频率,则可认为整个电路的上限频率就是该级的上限频率。 例5.5.1 已知某电路的各级均为共射放大电路,其对数幅频特性如图所示。求下限频率、上限频率和电压放大倍数。 (2)高频段只有一个拐点,斜率为-60dB/十倍频程,电路中应有三个电容,为三级放大电路。 解:(1)低频段只有一个拐点,说明影响低频特性的只有一个电容,故电路的下限频率为10Hz。 fH≈0.52fH1=(0.52×2×105)Hz=106KHz (3)电压放大倍数 例5.5.2 分别求出如图所示Q点稳定电路中C1 C2和Ce所确定的下限频率的表达式及电路上限频率表达式。 C1 Rc Rb2
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