22_二极管.pptVIP

因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。 在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。 因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。 在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子， 由热激发形成。 空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质因而也称为受主杂质。 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。 杂质半导体的转型：当掺入三价元素的密度大于五价元素的密度时，可将N型转为P型；当掺入五价元素的密度大于三价元素的密度时，可将P型转为N型。 以N型半导体为基片，通过扩散工艺使半导体的一边形成N型区，另一边形成P型区。 在浓度差的作用下，两边多子互相扩散。在P区和N区交界面上，形成了一层不能移动的正、负离子，称为空间电荷区，也称耗尽区，势垒区，即PN结。空间电荷区形成的内电场一方面阻碍多子的扩散，另一方面加速少子的漂移，最终达到动态平衡。 扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽，内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。 漂移运动：在电场作用下引起的载流子的运动。 扩散运动：因载流子的浓度差引起的载流子的运动。 PN结正向偏置—— 当外加直流电压使PN结P型半导体的一端的电位高于N型半导体一端的电位时，称PN结正向偏置，简称正偏。 PN结反向偏置—— 当外加直流电压使PN结N型半导体的一端的电位高于P型半导体一端的电位时，称PN结反向偏置，简称反偏。 PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型两大类。 阳极：adode；阴极：kathode（cathode） 点接触型：PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 面接触型：PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。 点接触型二极管的特点是PN结面积小，不能通过大电流。但由于其接触面积小，结电容小，高频性能好，故而常用在检波或脉冲电路中； 面接触型二极管的特点是PN结面积大，可以通过较大的电流，适合用于大功率的整流电路中； 平面型二极管如果结面积较大，则结电容也会大点，会应用在大功率整流中，如果面积较小则适合脉冲数字电路等应用。  正向特性：近似呈现为指数曲线，有死区（i≈0的区域)。导通后（即u大于死区电压后）u略有升高， i急剧增大。导通压降约为硅管0.6~0 .8V，锗管0.2~0.3V，通常近似取硅管0.7，锗管0.2。 正向区分为两段： 当0＜u＜Vth时，正向电流为零，Vth称死区/阈值/开启电压； 当u ＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 硅二极管的死区电压Vth=0.5V左右，锗二极管的死区电压Vth=0.2V左右。 反向区也分两个区域： 当VBR＜u＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当u≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压 。 在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。 当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。电击穿(雪崩或齐纳)——可逆，热击穿——不可逆。 最高工作频率fm——二极管工作在高频时，电流容易从结电容通过，使管子的单向导电性能变差，甚至可能失去单向导电性，为此规定一个最高工作频率，它主要决定于PN结结电容的大小，结电容愈大，则fM愈低。 二极管的参数还有结电容及最高结温等。 为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压VRM一般只按反向击穿电压VBR的一半计算。 通常认为，硅管的正向压降约为0.7V；锗管约为0.2V。 PN结还有感温、感光、发光等特性。 利用某些特殊的手段，采用砷、镓、磷等材料制成的二极管，由于它在有电流通过时，能发出光来，所