2.基本逻辑运算及集成逻辑门范例.ppt

最简单的与、或、非门电路 NMOS逻辑电路是用N沟道MOS管制作的。其工作速度比PMOS电路高，集成度高，而且采用正电源，便于和TTL电路连接。其制造工艺适宜制作大规模数字集成电路，如存储器和微处理器等。但不适宜制作通用型逻辑集成电路。 (这种电路要求在一个芯片上制作若干不同类型的逻辑门和触发器。)主要是因为NMOS电路对电容性负载的驱动能力较弱。  当与非门的某一输入端通过电阻RE接参考地(其它输入端接高电平)时，为使与非门可靠地工作在关门状态，RE所允许的最大阻值叫该与非门的关门电阻，记作ROFF。为使与非门可靠地工作在开门状态，RE所允许的最小阻值叫该与非门的开门电阻，记作RON。由上述分析可知，典型TTL与非门的ROFF=0.7 kΩ，RON=2kΩ。考虑到不同类型的TTL与非门，其内部结构及元件参数会有所不同，故它们的ROFF及RON也会有所差异。所以，在工程技术中，TTL与非门的ROFF和RON分别取值为0.5 kΩ和2 kΩ。  综合上述，当TTL与非门的某一输入端通过电阻R接地时，若R≤0.5kΩ，则该端相当于输入逻辑低电平；若R≥2 kΩ，则该端相当于输入逻辑高电平。 TTL与非门主要参数 （1）输出高电平UOH：与非门至少一个输入端接低电平时的输出电压。产品规范值UOH=2.4~3.6V，标准高电平UOH＝