数字电路基础_第3章逻辑门电路.pptx

第三章 逻辑门电路3.1 基本逻辑门电路3.2 TTL逻辑门电路3.3 CMOS逻辑门电路3.4 集成逻辑门电路的应用逻辑门电路教学基本要求：了解半导体器件的开关特性。熟练掌握基本逻辑门(与、或、与非、或非、异或门)、三态门、OC门（OD门）和传输门的逻辑功能。学会门电路逻辑功能分析方法。掌握逻辑门的主要参数及在应用中的接口问题。概 述逻辑门:实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。　基本和常用门电路有与门、或门、非门（反相器）、与非门、或非门、与或非门和异或门等。高电平、低电平获得高、低电平的基本方法　利用半导体开关元件的饱和导通、截止（即开、关）两种工作状态。0101正逻辑负逻辑　逻辑0和1： 电子电路中用高、低电平来表示。半导体器件的开关特性1、二极管的开关特性＋　uD 　－负极二极管符号：正极Ui0.5V时，二极管截止，iD=0。Ui0.5V时，二极管导通半导体器件的开关特性uoui＝0V时，二极管截止，如同开关断开，uo＝0V。uo 二极管的反向恢复时间限制了二极管的开关速度。ui＝5V时，二极管导通，如同0.7V的电压源，uo＝4.3V半导体器件的开关特性二极管的动态电流波形放大状态下BJT中载流子的传输过程2、三极管的开关特性 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。外部条件：发射结正偏 集电结反偏三极管的基本结构2、三极管的开关特性输入特性2、三极管的开关特性输出特性饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压。放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。2、三极管的开关特性三极管的基本开关电路只要电路的参数配合得当，必能做到Vi为低电平时三极管工作在截止状态，输出为高电平。Vi为高电平时三极管工作在饱和状态，输出为低电平。 + ˉVoViVi + ˉVoVi2、三极管的开关特性三极管的基本开关电路Vi Von时,三极管处于截止状态，iB≈0，iC≈0，电阻RC上没有压降。输出为高电平VOH。 + ˉVoVi2、三极管的开关特性三极管的基本开关电路Vi Von时,产生iB，T进入放大状态VCE=VCC－iCRc 当RC上的压降接近VCC时，T上的压降接近于0，T处于深度饱和，开关电路处于导通状态，VO=VOL≈0c基极饱和电流cbbee2、三极管的开关特性三极管开关的关键Vi为低电平 VIL时，三极管可靠截止，VBEVon，Vi为高电平VIH 时，三极管深度饱和，iB≥IBS开关等效电路半导体器件的开关特性三极管的动态开关特性三极管内部的电荷的建立和消散都需要一定的时间集电极电流ic的变化将滞后于输入电压vi+VDDRDDuiGuiS+VDD+VDDRDRDGGDDSS3、场效应管的开关特性工作原理电路转移特性曲线输出特性曲线截止状态导通状态uo=+VDDuo≈0uiUTuiUT 与逻辑真值表输 入输出ABL001101010001§2.1 基本逻辑门电路1、二极管与门和或门电路与门电路输 入输出VA（V）VB（V）VL（V）0V0V5V5V0V5V0V5V0V0V0V5V 或逻辑真值表输 入输出ABL001101010111§2.1 基本逻辑门电路输 入输出VA（V）VB（V）VL（V）0V0V5V5V0V5V0V5V0V5V5V5V 或门电路非逻辑真值表输 入输 出AL0110§2.1 基本逻辑门电路三极管非门电路输 入输 出VA（V）VL（V）0V5V5V0V§3.1 基本逻辑门电路二极管与门和或门电路的缺点：（1）在多个门串接使用时，会出现低电平偏离标准数值的情况。（2）负载能力差。0.71.4§3.1 基本逻辑门电路解决办法： 将二极管与门（或门）电路和三极管非门电路组合起来。§3.2 TTL逻辑门电路 集成逻辑门分为双极型集成电路和单极型集成电路。双极型集成电路分为：DTL集成逻辑和TTL集成逻辑；单极型集成电路分为一般MOS逻辑和互补MOS逻辑（CMOS） §3.2 TTL逻辑门电路DTL与非门电路工作原理： （1）当A、B、C全接为高电平5V时，二极管D1～D3都截止，而D4、D5和T导通，且T为饱和导通， VL=0.3V，即输出低电平。（2）A、B、C中只要有一个为低电平0.3V时，则VP≈1V，从而使D4、D5和T都截止，VL=VCC=5V，即输出高电平。所以该电路满足与非逻辑关系，即：§3.2 TTL逻辑门电路1．TTL与非门的基本结构§3.2 TTL逻辑门电路1、TTL与非门的基本结构§3.2 TTL逻辑门电路2、TTL与非门的逻辑关系由于T