光伏器件原理与设计一.ppt

第三章 太阳电池基本结构 晶体硅太阳电池基本结构 薄膜硅太阳电池基本结构 化合物太阳电池基本结构 西门子CVD还原炉 西门子CVD还原多晶硅料 单晶硅制备 直拉单晶炉外部结构 直拉单晶炉内部结构 直拉单晶生长过程 直拉单晶炉 多晶硅制备 多晶硅铸锭炉 2 扩散制p-n结 目的：在P型硅片的表面扩散(diffusion)进一薄层磷，以形成0.3-0.6微米左右深的浅p-n结， p-n结形成后，能在硅片内产生电场，当光照射到硅片上被吸收产生电子-空穴对时，电场能将电子-空穴对分开，产生电流。 扩散的原理：扩散是自然界普遍存在一种规律。所谓扩散，就是物体存在浓度不均匀时，从高浓度流动到低浓度直至平衡的一种现象。当磷沉积在硅片表面后，表面与内部存在浓度梯度，磷原子在高温驱动下穿过晶格到达其平衡位置，在硅片片面形成n型层。 2 扩散制p-n结 扩散后硅片的监控：测试方块电阻R□ (sheet resistance)， R□可理解为在硅片上正方形薄膜两端之间的电阻，他与薄膜的电阻率和厚度有关，与薄膜的尺寸无关。通过的R□测试，可以近似比较磷扩散的平均深度。扩散后的硅片要求表面光亮且无肉眼可见沾物，无崩边、缺角、孔洞等可视缺陷才视为合格品。 扩散后的多晶硅硅片 2 扩散制p-n结 扩散的分类： 链式扩散：diffusion inline 管式扩散：diffusion in tube