太阳能电池基本理论与工艺.ppt

* 半导体基本概念（一） * 4.7 电池结构与效率 * 半导体基本概念（一） * 对于一个单结太阳能电池，假如表面反射、载流子收集、以及串并联电阻，都得到优化，他的理论最高效率：25% * 半导体基本概念（一） * 4.7.1 材料选择 (一般是硅) 原料丰富 工艺成熟 禁带宽度略低， 间接禁带半导体，光吸收系数小，但通过陷光结构可以克服。 目前还没有找到其他材料能够代替硅。 * 半导体基本概念（一） * 4.7.2 电池厚度 (100-500微米) 具有陷光和良好表面反射层的电池，其厚度100微米，就可以了。 目前市场上，电池厚度 200～ 500微米之间，目的是生产中容易操作。 * 半导体基本概念（一） * 4.7.3 电阻率(~1欧姆厘米) 高的掺杂浓度，可以产生高的开路电压，并降低电池串联电阻。 但是过高的掺杂浓度会降低载流子扩散长度，反过来影响载流子收集。 * 半导体基本概念（一） * 4.7.4 扩散层 (n-type) 扩散层：负极 基底：正极 * 半导体基本概念（一） * 4.7.5 扩散层厚度(1微米) 大量的太阳光是在扩散层被吸收的，这一层比较薄，使得更多的光生载流子在一个扩散长度范围内产生，从而被pn结收集。 * 半导体基本概念（一） * 4.7.6 扩散层掺杂浓度 扩散层的掺杂浓度要在一个适当的程度。 掺杂浓度偏高，有利于降低电阻损