光电检测知识点讲义.doc

第一章 名称解释 1.光通量 2坎德拉 3.照度 4半导体中的非平衡载流子 5绝对黑体 6基尔霍夫定律 7热噪声 8产生-复合噪声 91／f噪声 知识要点 半导体材料的光吸收效应 (1)本征吸收 (2)杂质吸收 2.非平衡载流子浓度 载流子复合过程一般有直接复合和间接复合两种。 物体的光谱发射率总等于其光谱吸收比。也就是强吸收体必然是强发射体。 维恩位移定律指出：当绝对黑体的温度增高时，单色辐出度的最大值向短波方向移动。 光电子发射过程可以归纳为以下三个步骤： (1)物体吸收光子后体内的电子被激发到高能态； (2)被激发电子向表面运动，在运动过程中因碰撞而损失部分能量； (3)克服表面势垒逸出金属表面。 一般光电检测系统的噪声包括三种： (1) 光子噪声 包括：信号辐射产生的噪声和背景辐射产生的噪声。 (2)探测器噪声 包括：热噪声、散粒噪声、产生-复合噪声、1／f噪声和温度噪声。 (3)信号放大及处理电路噪声 在半导体器件中1／f噪声与器件表面状态有关。多数器件的1/f 噪声在300Hz以上时已衰减到很低水平，所以频率再高时可忽略不计。 在频率很低时；l／f 噪声起主导作用；当频率达到中间频率范围时，产生-复合噪声比较显著；当频率较高时，只有白噪声占主导地位，其它噪声影响很小了 光电探测器的合理选择 (1)根据待测光信号的大小，确定探测器能输出多大的电信号，即探测器的动态范围。 (2)探测器的光谱响应范围是否同待测光信号的相对光谱功率分布一致。即探测器和光源的光谱匹配。 (3)对某种探测器，它能探测的极限功率或最小分辨率是多少—需要知道探测器的等效噪声功率；需要知道所产生电信号的信噪比。 (4)当测量调制或脉冲光信号时，要考虑探测器的响应时间或频率响应范围。 (5)当测量的光信号幅值变化时，探测器输出的信号的线性程度。 第二章 名称解释 光源的发光效率 色温 色表 显色性 相关色温 分布温度 知识要点 选择光源时，应综合考虑光源的强度、稳定性、光谱特性等性能 根据斯奇芬-玻尔兹曼定律知，物体只要其温度大于绝对零度，都会向外界辐射能量，其辐射特性与温度的四次方有关 气体放电光源具有下述特点； 1.发光效率高。比同瓦数的白炽灯发光效率高2～10倍。 2.由于不靠灯丝发光，电极可以做得牢固紧凑耐震、抗冲击。 3.寿命长。一般比白炽灯寿命长2～10倍。 4.光色适应性强，可在较大范围内选择。 激光产生的必要条件——粒子数反转、光泵、谐振腔 按工作物质分类，激光器可分为气体激光器、固体激光器、染料激光器和半导体激光器等。 氙灯分为长弧氙灯、短弧氙灯和脉冲氙灯三种 试述卤钨灯的工作原理和发光二极管工作原理 第三章 名称解释 光生伏特效应 雪崩倍增效应 知识要点 半导体结型光电器件按结的种类不同，可分为PN结型，PIN结型和肖特基结型等 PN结光伏效应两种工作模式:光伏工作模式和光电导工作模式 光照下PN结，当PN结上加有反偏压时，暗电流随反向偏压的增大有所增大，最后等于反向饱和电流I0，而光电流Ip几乎与反向电压的高低无关。 光电池是一个PN结，根据制作PN结材料的不同，光电池有硒光电池，硅光电池、砷化镓光电池和锗光电池四种。 光电池的开路电压Voc随着温度的升高而减小，短路电流Isc随着温度的升高而增大，但增大比例很小 硅光电二极管的结构和工作原理与硅光电池相似，不同的地方是：①就制作衬底材料的掺杂浓度而言，光电池较高，②光电池的电阻率低③光电池在零偏置下工作，而硅光电二极管在反向偏置下工作；④一般说来光电池的光敏面面积都比硅光电二极管的光敏面大得多，因此硅光电二极管的光电流小得多，通常在微安级。 试述硅光电三极管与硅光电二极管特性比较 一般光电二极管与运算放大电路的连接方式有三种方式，(1)电流放大型 (2)电压放大型 (3)阻抗变换型 三种电路各有优缺点，但都适用于光功率很小的场合 PIN光电二极管因有较厚的I层，因此具有以下四点优点: a).使PN结的结间距离拉大，结电容变小。 b).由于内建电场基本上全集中于I层中，使耗尽层厚度增加，增大了对光的吸收和光电变换区域，量子效率提高了。 c）增加了对长波的吸收，提高了长波灵敏度， d）可承受较高的反向偏压，使线性输出范围变宽。 PSD光电位置传感器有以下特点：①对光斑的形状无严格要求，只与光的能量重心有关；②光敏面无死区，可连续测量光斑位置，分辨率高，一维PSD可达0.2μm；③可同时检测位置和光强；PS