第8章放大器设计学案.ppt

第8章 放大器设计 射频放大器按照用途分类包括： 低噪声放大器 功率放大器 宽频带放大器 高增益放大器 射频放大管 ⑴双极性晶体管(BJT) 采用硅材料，适用低频段，0.1GHz-4GHz ⑵异质结双极性晶体管(HBT) 由不同的材料构成半导体结，高频特性好，相位噪声低，2GHz-40GHz。 ⑶场效应晶体管(FET) ①金属氧化物场效应管(MOSFET) 用于低频段 ②金属半导体场效应管(MESFET) GaAs材料，可以减少半导体材料的电阻，提高晶体管的截止频率，工作频率2GHz到20GHz，用于小信号放大器和功率放大器。 ⑷高电子迁移率晶体管(HEMT) 用GaAs和AlGaAs材料，特点是噪声低，频率高，2GHz到40GHz。 低噪声放大器 用于接收机的前端，也叫前置放大器，噪声系数为0.3dB～1dB。 对三极管的要求： ①截止频率高 ② 放大倍数大 ③噪声系数小 特点： ⑴位于接收机前端，要求噪声越小越好。 ⑵为了抑制后面各级噪声对系统的影响，要求有一定的增益。 ⑶为了不使后面的混频器过载(饱和)，产生非线性失真，增益又不宜过大。 高频功率放大器的工作特点： 低电压、大电流 1、为了承受大电流，晶体管的芯片面积必须增大，增大面积又增大了极间电容，必然会降低晶体管的功率增益和工作频率。 2、电路中的寄生参数(引线电感)影响很大，会造成放大器的不稳定。 3、晶体管的等效输入输出阻抗数值很小，而且是复数，且功率越大的晶体管，其阻抗越小，匹配困难。 4、由于大电流，晶体管基区体电阻，扼流圈的直流电阻都会消耗功率，效率下降。 宽频带放大器 当射频放大电路的相对带宽FBW小于等于10%时，称为窄带放大电路。由于工作频带宽度较窄，可以认为晶体管的S参数是不随频率变化的常数，输入输出电路对品质因数没有太严格的要求，窄带放大电路设计的首要目标是获得尽可能高的功率增益。 当放大电路的工作频带达到一个倍频程以上时，通常称为宽带放大电路。宽带放大电路的设计目标是在工作频带内获得相对平坦的功率增益，而不是获得最大功率增益。 随着工作频带宽度的增加，正向电压传递系数|S(2,1)|随工作频率的升高而下降，反向电压传输系数|S(1,2)|随工作频率的升高而升高。 晶体管|S(2,1)|和|S(1,2)|在宽频带内的变化，导致稳定圆随频率变化，在一些频率上不再满足绝对稳定条件，还会影响到放大电路的功率增益G和噪声系数NF。 在宽频带放大电路的设计中，通常可以采用补偿匹配、平衡放大和负反馈电路的方法。 射频放大电路的设计方法 最小噪声系数设计 最大功率增益设计 多级放大电路设计 最大输出功率设计 晶体管射频放大电路的基本设计方法 8.1 放大器的基本原理 按静态工作点的位置依次为A类、B类、C类。 A类放大器用于小信号、低噪声放大器，通常是接收机前端放大器或功率放大器的前级放大。 B类和C类放大器电源效率高,输出信号谐波成分高,需要有外部混合电路或滤波电路。 由B类和C类放大器还可派生出D类、E类、F类等放大器。 为了获得更大的输出功率,就要使用功率合成器,将许多功放单元组合起来。 8.1.1 放大器的指标 通频带 增益 输出功率 输入输出阻抗 直流输入功率 动态范围(接收灵敏度，1dB压缩点、三阶互调截点 ) 噪声系数 散热性能 8.1.2 放大器的设计原理 一个单级放大器,其输入端接信号源,输出端接负载。 1. 三个增益的定义 (1) 实际功率增益(工作功率增益) 负载吸收功率与二端口网络输入端吸收功率之比。与源阻抗无关,与负载阻抗有关,即 (2) 转换功率增益 负载吸收功率与二端口网络输入端的资用功率之比。 与两端阻抗都有关, 即 三个增益与电路参数的关系为 式中 例、1 一个带有50欧参考阻抗的微波晶体管在10GHz