晶闸管及可控整流电路剖析.ppt

(a) uE = uC UP 时，单结管不导通，uo ? 0。 (2)振荡过程分析 IR1 R1、R2是外加的，不同于内 部的RB1、RB2。前者一般取 几十欧~几百欧； RB1+RB2 一般为2~15千欧。 此时R1上的电流很小，其值为： R R2 R1 C U uC uO E B1 B2 (b) 随电容的 充电，uC逐渐升高。当 uC ? UP 时，单结管导通。然后电容放电，R1上便得到一个脉冲电压。 R2起温度补偿作用 UP UV UP、UV-- 峰点、谷点电压 E R2 R1 R C U uC uO uC t uo t (c) 电容放电至 uc ? uv时， 单结管重新关断，使 uo?0。 17.5 单结管触发的可控整流电路 一、电路 u1 R2 R1 a RP C uc u2 R b c d e DZ T1 T2 D1 D2 uL RL u3 触发电路 主电路 二、波形关系 u2 uab UZ ucb 削 波 整 流 UZ a u2 R b c DZ UZ 整流稳压电路部分 UZ 削 波 ucb udb UP UV ueb 电容充、放电 UP-UD 触 发 脉 冲 UZ R1 R2 RP C uc c d e DZ b ? ? ? ? 单结晶体管电路部分 u3 uL 输出电压 ueb 触发脉冲 ? ? ? ? 可控硅桥式