09章-II-VI族化合物半导体概述.ppt

褚君浩实验关系式 Eg(x,T)＝-0.295十1.87x-0.28x2+(6-14x+3x2)(104)T十0.35x4 适用范围为0 ≤ x ≤ 0.37(包括x=1)和4.2K ≤ T ≤ 300K. 由Hg1-xCdxTe材料制作的红外探测器，具有很宽的波长覆盖，其响应波长可从1微米到数十微米之间随意调制。 x0.5时，Eg/dT0 ，禁带宽度随温度升高而增加； x0.5时，dEg/dT0，禁带宽度随温度升高而减小； x=0.5时，dEg/dT=0，禁带宽度不随温度变化； Ⅱ-Ⅵ族三元化合物的晶格常数随组分x的变化服从维戈定律。 如Hg1-xCdxTe的晶格常数 CdxZn1-xTe的晶格常数 Ⅱ-Ⅵ族三元化合物的晶格常数与组分x的关系 2. Hg1-xCdxTe（MCT)的制备 在Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料中，研究和应用最多的是Hg1-xCdxTe。 禁带宽度从-0.3eV随x变化到1.6eV，波长对应1~40?m。 该材料可制作8~14?m大气透明窗口探测器。 制备MCT材料的方法很多，体单晶的移动加热法和生长薄膜材料的MBE和MOVPE法。 1.移动加热法（THM） 由相图知熔体中凝固生长体单晶，分凝现象严重，晶体中的组分很不均匀。 移动加热法制备MCT体单晶解决了晶体的均匀性、纯度、生长晶向等问题。 优点：稳态生长、生长温度低，可对物料进行纯化并利用籽晶