固体物理ch6-0423概览.ppt

电子与晶格相互作用 电子与声子相互作用 此处只讨论每个原胞包含一个原子的情况。 设格点 处的原子是在其平衡位置时，其原子势场为 t 时刻， 处原子的位移为 若原子势场随原子的位移作刚性变化，则势场变为： 一、 电子与晶格相互作用满足能量守恒 设 A表示振幅， 表示振动方向上的单位矢量。 哈密顿量的变化为： 哈密顿量的变化可以看成是微扰 由微扰论知： 跃迁矩阵元： 跃迁几率： 跃迁概率最大的条件： 或 电子吸收一个声子的散射； 电子发射一个声子的散射； 应当指出: 声子的能量是很小的，例如，按照德拜理论，最高声子能量级等于kΘD ，对于德拜温度=200k，只有1/100电子伏特的数量级，仅仅是费米面上电子能量的千分之几，因此，散射接近完全弹性。 二、电子与晶格相互作用满足准动量守恒 现在具体考虑决定吸收和发射几率的矩阵元： 将加式中各项共同的积分用I 表示： 因此， 利用关系： 其中 为倒格矢。 矩阵元不为零的条件是： 或 电子发射一个声子的散射； 电子吸收一个声子的散射； 当 时， 称为正常散射过程(N过程) 当 时， 称为反常散射过程(倒逆过程，U过程) 结论：电子与晶格相互作用满足能量守恒和准动量守恒。 或 电子发射一个声子的散射； 电子吸收一个声子的散射； 1.电阻的起因 （1） 理想晶体无电阻 一个理想的晶体是无限大的，既没有杂质和缺陷也没有晶格振动。 当能带只是部分填充时，在外电场作用下，这些电子的状态以匀速变化 ，使电子在布里渊区的分布不再对称，从而产生电流。 三、金属的电阻率 当外电场除去后，由于 ，电子在布里渊区的非对称分布不再变化，从而维持原来的电流不变，也就是说，在外电场为零的情况下，电流仍不等于零。 可知，电导率应为无穷大，电阻率应为零。 由 （2）电阻来源于杂质、声子等对电子的散射 2.纯金属的电阻率 （1）实验规律： 高温 低温 （2）理论解释 对于纯金属，杂质和缺陷可以忽略不计，电阻率主要来 自晶格振动对电子的散射作用。 假设声子系统由所谓的平均声子所构成，在这个系统中每个声子的动量等于原声子系统中声子的平均动量。虽然金属中存在大量的电子，但参与导电的仅仅是费米面附近的电子。 其中Z是一常数，是除k态外，费米面上其他电子态的总和。 是电子遭受到一个平均声子散射作用所产生的散射角。 是波矢为k的电子在单位时间内与一个声子的平均碰撞几率，也即波矢为k的电子在单位时间内与声子的平均碰撞次数。 按照经典统计理论，单位时间内某A气体分子与B气体分子的碰撞次数，正比于A和B分子的平均相对速度以及B分子的浓度。因此 如果采用德拜模型，声子的速度近似为金属中的声速， 也是常数。所以电子与声子的平均相对速度是一常数。 ---声子浓度， ---费米面附近电子与声子的平均相对速度(?kF/m*)。 假设可以不计倒逆过程，只讨论电子的正常散射过程，由下图可知 电子---声子的正常散射 上式中 为声子的平均动量。 上式代入 得到 根据德拜模型知， ，而频率为?的声子数为 声子浓度 声子的平均波矢 可得纯金属的电阻率为： 其中 是金属的德拜温度，A是常数。 令 纯金属的电阻率为： 高温时： 低温时： 3.杂质和缺陷对金属电阻率的影响 实际材料中存在的杂质与缺陷，也将破坏周期性势场，引起电子的散射。在金属中杂质与缺陷的影响一般来说是不依赖于温度T 的，而与杂质、缺陷的浓度成正比。 在杂质浓度较小时，可以认为晶格振动与杂质、缺陷的散射相互独立，总的散射概率之和用弛豫时间表示，可以写成： 第一项：表示晶格振动散射的贡献， 第二项：表示杂质、缺陷散射的贡献。 当T=0K时，没有声子，?L=0， 因此杂质与缺陷的存在可以改变金属电阻率的数值，但不改变电阻率的温度系数d?/dT。 ?L----代表纯金属的电阻率； ?r---表示杂质与缺陷的散射的影响，与温度无关。 ? =?r 称?r为金属的剩余电阻率。 近藤效应：低温下，磁性物质的电阻随温度的变化出现极小值的电阻反常现象。 磁性杂质对电阻的贡献为温度降低按对数规律增长： 磁性杂质不能仅看到它们破坏周期势场而引起的散射，还必须