第3章 3.3过程控制装置及系统设计.ppt

3.4 执行器和防爆栅 为叙述方便，图中画出了其中的一套。晶体管VT4和变送器串联，执行限压限流动作。 VT4的基极电路被晶体管化控制，在正常工作中VT3是不通的，VT4由电容C3两端的整流滤波电压经电阻R7取得足够的基极电流，处于饱和导通状态，变送器的4～20mA信号电流可十分流场地通过限压限流电路。 过程控制装置及系统设计 * * 3.4 执行器和防爆栅 看一下晶体管VT3的基极—发射极电路便可发现，如果电阻R5、R6上的压降超过0. 6V，VT3开始导通，使晶体管VT4的基极电流减小。 过程控制装置及系统设计 * * 图3-69 限压限流电路 3.4 执行器和防爆栅 若VT3的电流很大，则经过R7的电流将大部分或全部通过VT3又，而不流入VT4的基极，使晶体管VT4退出饱和，进入放大或截止区。 过程控制装置及系统设计 * * 图3-69 限压限流电路 3.4 执行器和防爆栅 电路出现这种情况的原因有如下两种： ①电源出现过电压：图中齐纳管VD15的击穿电压约为30V。如果滤波电容C4上的整流电压超过30V，则齐纳管VD15导通，经电阻R4向晶体管VT3的基极提供电流，VT3导通且夺取VT4的基极电流，使VT4趋于关断，送往现场的电压UAB减小，起到限制电压的作用。 过程控制装置及系统设计 * * 图3-69 限压限流电路 3.4 执行器和防爆栅 ②变送器出现过电流：图中电阻R6上信号电流在20mA的正常范围内时压降不超过0.6V，另外由于电阻R5（18kΩ)的存在，R6上的压降即使稍微超过0.6V，VT3也不会充分导通。 过程控制装置及系统设计 * * 图3-69 限压限流电路 3.4 执行器和防爆栅 如果变送器电流超过25mA左右时，R6上的压降将逐渐使VT3又充分导通，夺取VT4的基极电流，使VT4发挥作用，把流入现场的电流限制在30mA以内。 过程控制装置及系统设计 * * 图3-69 限压限流电路 3.4 执行器和防爆栅 过程控制装置及系统设计 * * 上述限压限流电路的特性如图3-70所示。当滤波电容C4的整流电压UC4小于30V时，输出电压UAB＝UC4，晶体管VT4不起任何限压作用 3.4 执行器和防爆栅 过程控制装置及系统设计 * * 但UC4＞30V时，VT4很快趋于关断,随着UC4的增大，UAB很快降为零。同理，电路的限流作用也是通过晶体管VT4使输出电压UAB降低来实现的。 3.4 执行器和防爆栅 这里需要说明的是，上页图中限压限流晶体管VT4、VT6的耐压必须足够高。因为当电源出现过电压时，VT4、VT6都处于关断状态，这样全部过电压都加在这两个晶体管上。 过程控制装置及系统设计 * * 3.4 执行器和防爆栅 DDZ—III型仪表防爆栅的防爆定额为交直流220V，当这样高的事故电压加在防爆栅的电源端时，实验测得的变压器T1副边最大峰值电压约为100V（按原副边匝数比要超过220V，但由于铁氧体磁心饱和，输出电压没有那样高） 过程控制装置及系统设计 * * 3.4 执行器和防爆栅 为了安全，设计时按220V直接加到限压限流电路输入端考虑；再留一些裕量，这些晶体管的反向击穿电压VCBO加取350V。与限压限流电路串联的二极管VD17、VD18是为防止电压反向而设置的。 过程控制装置及系统设计 * * 3.4 执行器和防爆栅 调制和解调放大部分： 过程控制装置及系统设计 * * 图3-71 调制和解调放大电路 二线制变送器的电源是靠二极管VD9、VD10、VD13、VD14全波整流供给的。 3.4 执行器和防爆栅 过程控制装置及系统设计 * * 由于VD13和VD14是在电源正负半波交替工作的，因此将变压器B2初级线圈的上下两半分别接入这两个二极管支路中时，在VD13、VD14的开关作用下，变送器的4—20mA直流信号电流将交替地进入变压器初级线圈的上下两部分，使其次级出现方波电压。 这里，变压器T2工作于电流互感器的工作方式，其次级负载阻抗很小。这样，在初次级线圈匝数比为1：1的情况下，次级方波电流大小等于初级电流。 3.4 执行器和防爆栅 由于信号电流是单方向的，因此解调问题很简单，只要对电流互感器T2的次级电流进行全波整流即可。为了产生恒流输出，这里用共基极电路作整流放大。考虑到共基极放大电路中晶体管的β愈大，输入电流（发射极电流）与输出电流（集电极电流）之比愈接近于1，故在解调放大电路中用VT7、VT8和VT9、VT10组成复合管，以增大等效β值，提高工作精度。 过程控制装置及系统设计 * * 3.4 执行器和防爆栅 上图中，电流互感器T2的次级方波电流作为复合管的输入电流．经共基极放大电路后，产生的两个半波恒流输出，相加后