第二章光电检测.pptVIP

* 非平衡载流子的产生 光注入：用光照使得半导体内部产生非平衡载流子。当光子的能量大于半导体的禁带宽度时，光子就能把价带电子激发到导带上去，产生电子－空穴对，使导带比平衡时多出一部分电子，价带比平衡时多出一部分空穴。产生的非平衡电子浓度等于价带非平衡空穴浓度。光注入产生非平衡载流子，导致半导体电导率增加。 其它方法：电注入、高能粒子辐照等。 半导体对光的吸收 * 四、载流子的运动 扩散运动：把载流子由热运动造成的从高浓度处向低浓度处的前一运动成为扩散。 漂移运动：载流子在电场的加速作用下，除热运动之外获得的附加运动称为漂移运动。 载流子的运动形式 平衡载流子:处于热平衡状态下的载流子。 非平衡载流子:半导体处于非平衡状态时，比平衡状态多出来的载流子。 考虑扩散运动：1）、对于杂质分布不均匀的半导体； 2）、处于非平衡状态的半导体，需要考虑扩散运动。 不考虑扩散运动：对于处于平衡状态的杂质均匀分布的半导体； * 非平衡载流子 例：n型半导体硅，掺杂浓度 注： （1）在光照等小注入的情况下，非平衡少数载流子浓度可以比平衡少数载流子浓度大得多 （2）非平衡少数载流子起重要作用，非平衡载流子都指非平衡少数载流子 假定 * 物体受光照射，一部分光被物体反射，一部分光被物体吸收，其余的光透过物体。 半导体对光的吸收 本征吸收 非本征吸收 半导体对光的吸收 四、半导体对光的吸收 * 本征吸收：光子能量足够大，价带中的电子能激发到导带。 特点：产生电子－空穴对 条件： 本征半导体和杂质半导体内部，都有可能发生本征吸收！ 半导体对光的吸收 * 非本征吸收：光子能量不足以使价带中的电子激发到导带 ，包括杂质吸收、自由载流子吸收、激子吸收、晶格. 杂质吸收： N型半导体 施主束缚电子?导带 P型半导体 受主束缚空穴?价带 自由载流子吸收：由同一能带内不同能级之间的跃迁引起的。载流子浓度很大时，导带中的电子和价带中的空穴产生带内能级间跃迁而出现的非选择性吸收. 激子吸收：价带中的电子吸收小于禁带宽度的光子能量也能离开价带，但因能量不够还不能跃迁到导带成为自由电子。这时，电子实际还与空穴保持着库仑力的相互作用，形成一个电中性系统。 晶格吸收： 所吸收辐射的能量转变为晶格原子的振动能量. 这两种吸收对光电导没有贡献，甚至会降低光电转换效率 本征吸收和杂质吸收能够产生非平衡载流子。 半导体对光的吸收 * 五、PN结 将P型和N型半导体采用特殊工艺制造成半导体。半导体内有一物理界面，界面附近形成一个极薄的特殊区域，称为PN结。 半导体物理基础 1、PN结的形成 * U 电势 2)、内建电场的驱动导致载流子做反向漂移运动 n型 p型 耗尽层 1)、浓度的差别导致载流子的扩散运动 2、动态平衡下的PN结 N区电子扩散进入P区， P区电子漂移进入N区，最终达到平衡； P区空穴扩散进入N区， N 区空穴漂移进入P区，最终达到平衡； * 如果外加电压使PN结中：P区的电位高于 N 区的电位，称为加正向电压，简称正偏； PN结具有单向导电性，若外加电压使电流从 P 区流到 N 区，PN结呈低阻性，所以电流大；反之是高阻性，电流小。 P 区的电位低于 N 区的电位，称为加反向电压，简称反偏。 3、PN结的单向导电 半导体物理基础 * (1) PN结加正向电压时的导电情况 外加的正向电压有一部分降落在 PN 结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响, PN 结呈现低阻性。 PN结加正向电压时的导电情况 半导体物理基础 * 外加的反向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场的作用 下形成的漂移电流大于扩 散电流，可忽略扩散电流 ，由于漂移电流本身就很 小，PN结呈现高阻性。 在一定温度条件下， 由本征激发决定的少子浓 度是一定的，故少子形成 的漂移电流是恒定的，基 本上与所加反向电压的大 小无关，这个电流也称为 反向饱和电流。 (2) 、PN结加反向电压时的导电情况 PN 结加反向电压时的导电情况 半导体物理基础 * PN结外加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。 半导体物理基础 正偏 反偏 * 3、PN结的伏安特性曲线 对应表: 第二章 光电检测器件工作原理及特性 半导体物理基础 光电检测器