第四章 存 储 器 4.1 概 述 半导体存储器 磁表面存储器 光盘存储器 主存储器:可以和CPU直接交换信息。 辅助存储器:主存的后援存储器,用来存放当前不用的程序和数据,不能与CPU直接交换数据。 主存速度快、每位价格高、容量小 辅存速度慢、每位价格低、容量大 缓冲存储器:用于两个速度不同的部件之间,如CPU和主存之间可设置一个快速缓冲存储器,起到缓冲作用。 4.2 主存储器 存储器芯片封装了驱动器、译码器、读写电路等。 而MAR和MDR则制作在CPU芯片中。 刷新过程的实质是将原有信息读出,再由刷新放大器形成原信息并重新写入的再生过程(刷新放大器及读放大器均起此作用) 。 刷新周期(再生周期):从上次对整个存储器刷新结束到下次对整个存储器全部刷新一遍为止的时间间隔称为刷新周期。 在刷新周期内,由专用的刷新电路来完成对基本单元电路的逐行刷新。 两种刷新方式 集中刷新 分散刷新 RROM是可以实现一次性编程的只读存储器。 下图为一个由双极型电路和熔丝构成的基本单元电路。 写“0”:烧断熔丝 写“1”:不烧断熔丝 74LS138—“3-8”译码器 4. 片选线的连接 片选信号的连接是CPU与存储芯片正确工作的关键。 片选有效信号与CPU的访存控制信号MREQ(低电平有效)有关。 MREQ为低,表示CPU访问存储器;MREQ为高,表示CPU访问I/O,此时不要求存储器工
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