光电检测技术(第五章光电成像检测器件)概览.ppt

图像增强一般有两种方法：增强电子图像密度；增强电子的动能。或者同时采用这两种方法。增强电子图像密度，一般利用二次电子发财来实现；而用增强电场或磁场的方法来增强电子的动能。由于图像的变换相增强的方法很多，因而产生了各种类型的变保管相像增强管。 光电成像器件 简答：变像管和像增强管的工作原理及区别。 工作原理：都是光电阴极接收辐射，将光学图像转换为电子数密度图像，加有正高压的阳极起到了电子透镜的作用，使阴极发出的电子聚焦成像在荧光屏上，最终得到目标物的图像。 区别是：都是非扫描成像器件，都具有图像增强作用，但光谱响应不同，变像管是将不可见图像转换为可见图像的器件，而像增强管是把强度低于视觉阈值的图像增强到可以观察程度的光电成像器件。 光电成像器件 二、性能参数 1、光电阴极灵敏度 光阴极的量子效率决定了管子的灵敏度，量子效率对波长的依赖性决定了管子的光谱响应，光阴极的暗电流＆量子效率决定了像的对比度＆最大信噪比，对比度＆信噪比又决定了照度最低情况下的分辨率。 2、放大率＆畸变 荧光屏上像点到光轴的距离与阴极面上对应点到光轴距离之比称为变像管点所在环带的放大率β。 畸变：D=β/β0-1 若D0,则为枕形畸变，D0，则为桶形畸变。 3、亮度转换增益 光出射度 辐照度 发光效率 灵敏度 额定阳极电压 光阴极的有效接收面积 荧光屏的有效发光面积 4、鉴别率 一般指在照度足够的情况下（以100勒克斯为宜），通过变像管或像增强管所刚刚分辩处的黑白条纹数目。 5、暗背景亮度 在无光照下，光阴极产生的暗电流在阳极电场的作用下轰击荧光屏使之发光，这时荧光屏的亮度称之为暗背景亮度。 6、观察灵敏阈 在极限观察下，光电阴极的极限照度称为观察灵敏阈。 三、像增强管的级联 单级像增强管的光放大系数和光量子增益较小，直视工作距离较短。为了提高灵敏度，增长工作距离，通常可采用串联或级联的方式。 （一）串联式像增强管 1、磁聚焦三级串联式像增强管 光电成像器件 它由三只单级像管首尾相接，每只单级像管的高压电源通过电阻分压器加在电极环上，使管内产生均匀电场。管外加长螺管线圈，用以产生轴向均匀磁场。两级中间连接处违夹心片结构，中间为透明云母片，它的前面为荧光屏，后面为光电阴极，两者的频谱特性正好品配。 特点：像差小，像质好，但消耗功率大，体积笨重。 2、电聚焦三级串联像增强管 光阴极面 荧光屏 A层 A层 A层 A1 A2 A3 靶 靶 加速＆聚焦全由电子透镜来实现。 重量轻，功耗低，但像差大，产生像散＆场曲，像质差。 （二）级联式像增强管 光纤维板是由很多极细的光学纤维玻璃丝紧密排列并聚熔而成。其传光效率高，且端面可加工为各种所需要的形状。提高了管子的灵敏度。缺点是边缘增益大。常用于夜视、微光电视领域。 级联式像增强管单管结构图 （三）微通道式像增强管 光电阴极在入射光线的照射下发出光电子，它们分别沿着各个小的微通导管不断地二次电子倍增，倍增后的电子射到荧光屏上，便显示出明亮的光学图像。 它分为两类：近聚焦微通道像增强管＆静电聚焦微通道像增强管。 优点：体积小，重量轻，可通过调整偏压来调整增益，且具有自动放强光的能力。 缺点：噪声大。 外形结构 再 见！ CMOS图像传感器 CMOS成像器件的原理结构 CMOS图像传感器出现于1969年,它是一种用传统的芯片工艺方法将光敏元件、放大器、A/D转换器、存储器、数字信号处理器和计算机接口电路等集成在一块硅片上的图像传感器件，这种器件的结构简单、处理功能多、成品率高和价格低廉，有着广泛的应用前景。 本节将介绍CMOS成像器件的组成、像敏单元结构、工作流程和辅助电路，从中了解CMOS器件的结构与工作原理。 CMOS成像器件的组成 CMOS成像器件的组成原理框图如图所示，它的主要组成部分是像敏单元阵列和MOS场效应管集成电路，而且这两部分是集成在同一硅片上的。像敏单元阵列由光电二极管阵列构成。 如图中所示的像敏单元阵列按X和Y方向排列成方阵，方阵中的每一个像敏单元都有它在X，Y各方向上的地址，并可分别由两个方向的地址译码器进行选择；输出信号送A/D转换器进行模数转换变成数字信号输出。 图像信号的输出过程可由图像传感器阵列原理图更清楚地说明。在Y方向地址译码器（可以采用移位寄存器）的控制下，依次序接通每行像敏单元上的模拟开关（图中标志的Si,j），信号将通过行开关传送到列线上，再通过X方向地址译码器（可以采用移位寄存器）的控制，输送到放大器。 如图所示图像信号经Y方向地址译码器依次序接通每行像敏单元上的模拟开关Si,j，信号将通过行开关传送到列线上，再通过X方向地址译码器的