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- 2016-11-26 发布于湖北
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p型半导体CO氧化 NiO中引入Li 增加了空穴数 提高了p型导电能力 引入Cr 减小了空穴数 减小了p型导电能力 CO吸附形成正离子 为决速步骤 n型半导体上CO氧化 ZnO中引入Li+ 减小了n型导电能力 引入Ga3+ 增大了n型导电能力 氧气吸附生成负离子 为决速步骤 二、催化氧化反应 Co3O4上CO催化氧化 Wenjie Shen, Nature 458, 746-749 1、还原氧化机理 催化氧化机理常常可以看作是一个还原—氧化过程。 第一步烃类与氧化物反应,烃被氧化,氧化物被还原; 第二步是还原了的氧化物与氧反应恢复到起始状态。 从这机理可见,在催化剂上要有两类活性中心。 ① 能吸附反应物分子(如M1吸附烯烃); ② 能吸附气相氧分子为晶格氧。 M1?M2 双金属氧化物组成,如 MoO3-Fe2O3, MoO3-Bi2O3, MoO3-SnO2等, M1=M2,可以是单组分氧化物。M必须能变氧化价。 这机理模型对其他的许多烃类的催化氧化反应都是适用的。如烯烃的氧化、氨氧化、甲醇的氧化等。 2、催化剂表面上的氧物种及催化作用 1/2O2(g)→O(g) 248kJ/mol O(g)+e→O-(g) -148kJ/mol O-+e→O2- 844kJ/mol 1/2O2(g)+2e→
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