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模拟电路基础知识 第一章 半导体二极管及其应用 纯净的单晶半导体成为本征半导体。本征半导体中有两种载流子：电子和空穴。本征半导体 受外界能量（热能、电能和光能等）激发，产生电子、空穴对的过程成为本征激发。 在本征半导体中，有选择地掺入少量其他元素，会使其导电性能发生显著变化。掺入杂质的半导体成为杂质半导体。 在本征硅（或锗）中掺入少量的五价元素，如磷、砷、锑等，就得到N型半导体。 在本征硅（或锗）中掺入少量的三价元素，如硼、铝、铟等，就得到P型半导体。 如果使P型半导体和N型半导体结合在一起，在其交界面处就会形成一个很薄的特殊物理层，称为PN结。 由于存在浓度差引起的载流子从高浓度区域向低浓度区域的运动称为扩散运动。 在内电场的作用下，N区的少子（空穴）向P区漂移，P区的少子（电子）向N区漂移。这种载流子的运动称为漂移运动。 多子的扩散运动和少子的漂移运动相互制约，最终扩散电流和漂移电流达到动态平衡。 将PN结的P区接电源正极，N区接电源负极，称为PN结外加正向电压或正向偏置。PN结正向偏置时，外电场与内电场方向相反，破坏了PN结的动态平衡，使得多子扩散运动大大增强。 将PN结的P区接电源负极，N区接电源正极，称为PN结外加反向电压或反向偏置。PN结反向偏置时，外电场与内电场方向相同，阻止了多子的扩散运动，促进了漂移运动，形成漂移电流，在外电路中形成流入N区的电流，称为反向饱和电