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- 2016-12-02 发布于山西
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西电低频电子线路傅丰林第1章
* * * * * * * * * * * * * * 1.5.1 结型场效应管JFET:特性曲线续 输出曲线分四区: 截止区 放大区 可变电阻区 击穿区 击穿区 UGS (off) 击穿区: 对应击穿状态 特点:uDS 很大 iD急剧增加 * 1.5.1 结型管JFET :工作原理续 小结: iD 受控于uGS : ?uGS ??则 iD ?直至iD =0 JFET管随uGS值的增加经预夹断至夹断状态 iD 受uDS影响 : uDS?则iD 先增随后近似不变 预夹断前uDS?则iD ? 以预夹断状态为分界线 预夹断后uDS?则iD 不变 * 转移特性曲线 1.5.1 结型场效应管JFET:特性曲线续 指uDS为参变量,iD随uGS 变化的关系曲线 夹断电压uGS(off) 饱和漏 电流IDSS 预夹断后转移特性曲线重合 曲线方程 条件 * 1.5.2 绝缘栅场效应管IGFET 概念 特点:栅极同其余电极之间绝缘 分类:MNSFET MALSFET NMOS MOSFET PMOS 增强型 增强型 耗尽型 耗尽型 * 1.5.
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