第5节PN结的直流特性精读.pptVIP

第5节 PN结直流特性 西南科技大学理学院应用物理 谢 谢！ * * * 第5节 PN结直流特性 V I 0 VB VT IR PN结直流特性是流过PN结中电流与其两端外加电压之间的关系。 正向电压（V0） VT：阈值电压 PN结呈低阻状态 反向电压（V0） IR：反向饱和电流 VB：反向击穿电压 PN结呈高阻状态 * 1 载流子注入 Ln xn -xp x o p(x) n(x) pn n(x) p(x) np Lp EA ﹣ ﹣ ﹣ ﹣ ﹣ ﹣ ﹣ ○ ﹣ ○ ﹣ ○ P + + + + + + + ● + ● + ● N E ○ ○ ○ ● ● ● + － EC EF EV qVD q(VD –VA) xm EFp EFn VA0(P正N负)，外电场EA与自建电场E反向，势垒区总电场减弱，平衡被打破，电子和空穴的扩散作用增强； 能带弯曲变化，势垒高度降低，势垒宽度减小； 费米能级分为电子费米能级EFn和空穴费米能级EFp。 * 空穴运动 空穴从P区注入到N区，在边界(xn )附近积累，在N区形成非平衡少数载流子空穴浓度梯度，使空穴继续向前扩散，同时与N区的多子电子复合，空穴浓度降低，经过Lp的距离，注入的少子空穴基本复合。 Lp：空穴扩散长度 Ln xn -xp x o p(x) n(x) pn n(x) p(x) np Lp EA ﹣ ﹣ ﹣ ﹣ ﹣ ﹣ ﹣ ○ ﹣ ○ ﹣ ○ P + + + + + + + ● + ● + ● N E ○ ○ ○ ● ● ● + － EC EF EV qVD q(VD –VA) xm EFp EFn * 电子运动 电子从N区注入到 P区，在边界(-xp)附近积累，在P区形成非平衡少数载流子电子浓度梯度，使电子继续向前扩散，同时与N区的多子空穴复合，电子浓度降低，经过Ln的距离，注入的少子电子基本复合。 Ln：电子扩散长度 Ln xn -xp x o p(x) n(x) pn n(x) p(x) np Lp EA ﹣ ﹣ ﹣ ﹣ ﹣ ﹣ ﹣ ○ ﹣ ○ ﹣ ○ P + + + + + + + ● + ● + ● N E ○ ○ ○ ● ● ● + － EC EF EV qVD q(VD –VA) xm EFp EFn * 正向电流 带正电荷的空穴运动方向从 P区到N区，形成空穴电流的方向从P区到N区； 带负电荷的电子运动方向从N区到 P区，形成电子电流的方向从P区到N区； 流过二极管的总正向电流是:空穴注入电流与电子注入电流之和。 Ln xn -xp x o p(x) n(x) pn n(x) p(x) np Lp EA ﹣ ﹣ ﹣ ﹣ ﹣ ﹣ ﹣ ○ ﹣ ○ ﹣ ○ P + + + + + + + ● + ● + ● N E ○ ○ ○ ● ● ● + － EC EF EV qVD q(VD –VA) xm EFp EFn * 2 反向抽取 Ln xn -xp x o p(x) n(x) pn n(x) p(x) np Lp ﹣ ﹣ ﹣ ﹣ ﹣ ﹣ ﹣ ○ ﹣ ○ ﹣ ○ P + + + + + + + ● + ● + ● N E ER ○ ○ ○ ● ● ● + － xm EC EV EF qVD q(VD –VR) EFp EFn VR0 ( P负N正)，外电场 ER与自建电场E同向，势垒区总电场增强，平衡被打破，电子和空穴的扩散作用减弱，漂移作用增强； 能带弯曲变化，势垒高度增加，势垒宽度增加； 费米能级分为EFn和EFp。 * 反向电场对 P区少数载流子电子的漂移作用使在边界(-xp )附近电子浓度减少而低于平衡值np，与 P区体内存在浓度梯度产生少子电子的扩散运动，带负电荷的电子被反向电场抽取，从 P区到N区定向运动，形成由N区到 P 区的反向电子电流。 Ln xn -xp x o p(x) n(x) pn n(x) p(x) np Lp ﹣ ﹣ ﹣ ﹣ ﹣ ﹣ ﹣ ○ ﹣ ○ ﹣ ○ P + + + + + + + ● + ● + ● N E ER ○ ○ ○ ● ● ● + － xm EC EV EF qVD q(VD –VR) EFp EFn * 反向电场对N区少数载流子空穴的漂移作用，使带正电荷的空穴被反向电场抽取，形成由N区到 P区的反向空穴电流。 总反向电流是反向空穴电流与反向电子电流之和。 电子与空穴的运动方向相反，形成的电流方向一致。 Ln xn -xp x o p(x) n(x)